1 |
Исследование
анодного скачка потенциала в полупроводнике на границе его соприкосновения
с металлом |
Доклады АН Аз.
ССР, 1947, №9, с.383-389 |
2 |
Исследование
температурной зависимости приэлектродного скачка потенциала в закиси
меди |
Доклады АН Аз.
ССР, 1950, №7, с.285-290 |
3 |
Исследование
температурной зависимости скачка потенциала в полупроводнике на границе
с металлом |
Труды Института
физики и математики АН Аз. ССР, 1951, т.5, с.11-20 |
4 |
Исследование
температурной зависимости приэлнктродного скачка потенциала в закиси
меди |
Известия АН СССР,
сер. физическая, 1952, №2, с.225-226 |
5 |
Электронные полупроводники
и их применение |
Изд. АН Аз.ССР,
1952, 52 с. |
6 |
Влияние рентгеновских
лучей на p-n переход |
Изв. АН Аз. ССР,
1954, №11, с.61-67 |
7 |
Исследование
электропровдности термоЭДС некоторых полупроводников |
Изв. АН Аз. ССР,
1955, №12, с.3-16 |
8 |
Определение (e/kT) из вольтомной характеристики селеных выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1955, №5, с.3-10 |
9 |
Действие гамма-
и рентгеновских лучей на селеновые выпрямители |
Доклады АН Аз.
ССР, 1956, №7, с.435-439 |
10 |
Исследование
фотопроводимости поликристаллического селенида садмия под действием
гамма- и рентгеновских лучей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №12, с.3-15 |
11 |
Исследование
приэлектродных электрохимических процессов в селене |
Труды Института
физики и математики АН Аз. ССР, сер. физическая, 1956, т.8, с.13-22 |
12 |
О механизме эффекта
сильного поля на p-n переходах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1956, №11, с.787-791 |
13 |
О перераспределении
примесей при формовке селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №2, с.3-9 |
14 |
О процессе формовки
осерненных селеновых выпрямителей |
Труды Института
физики и математики АН Аз.ССР, сер. Физическая, 1956, т.8, с.5-12 |
15 |
Об определении
составляющих эквивалентной электрической схемы полупроводниковых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №3, с.3-10 |
16 |
Электрографическое
исследование структуры выпрямляющих контактов селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №4, с.15-24 |
17 |
Влияние примеси
брома на теплопроводность селена |
ЖТФ, 1957, №9,
с.1971-1975 |
18 |
Влияние примеси
брома на теплопроводность селена |
Изв. АН Аз. ССР,
1957, №2, с.3-13 |
19 |
Влияние иода
на теплопроводность селена |
ДАН СССР, 1957,
т.114, №5, с.995-996 |
20 |
Изучение диффузии
таллия, олова и индия в селене |
Изв. АН Аз. ССР,
1954, №11, с.61-67 |
21 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1957, №11, с.1145-1148 |
22 |
Исследование
диффузии в селене некоторых металлов радиоактивными изотопами |
Доклады АН Аз.
ССР, 1957, №7, с.727-731 |
23 |
Исследование
физических процессов, происходящих на электронно-дырочных переходах |
В кн. “10 лет
АН Аз. ССР”, Баку, Изд. АН Аз. ССР, 1957, с.360-367В кн.:”Труды первой Научной сессии Совета
по координации АН Аз.ССР”, Баку, Изд. АН Аз. ССР, 1957, с.39-47 |
24 |
О влиянии примеси
хлора на теплопроводность селена |
ДАН СССР, 1957,
т.116, №4, с.598-600 |
25 |
О температурной
зависимости теплопроводности селена с примесью брома |
Доклады АН Аз.
ССР, 1957, №8, с 831-836 |
26 |
Определение коэфициента
диффузии теллура в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1957, №6, с.601-607 |
27 |
Полупроводниковые
выпрямители |
Баку, Изд. АН
Аз. ССР, 1958, 204с. |
28 |
Влияние примеси
хлора на электрические свойства селена |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №4, с.23-30 |
29 |
Влияние электроформовки,
термоэлектрической обработки на физические процессы, происходящие в
селеновых фотоэлементах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №6, с.43-53 |
30 |
Изучение диффузии
компонентов Te2Se методом меченых атомов |
ДАН СССР, 1958,
т.119, №2, с.267 |
31 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №5, с.7-13 |
32 |
Исследование
комплексного сопротивления селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №3, с.27-37 |
33 |
О влиянии примесей Ga и Fe на теплопроводность
германия |
ЖТФ, 1958, т.28,
№11, с.2368-2371 |
34 |
О влиянии примеси
хлора на теплопроводность селена |
Труды Института
физики и математики АН. Аз.ССР, сер. физическая, 1958, т.9, с.26 |
35 |
О диффузии кадмия
и олова в сплаве Cd-Sn |
Доклады АН. Аз.
ССР, 1958, №2, с. 103-104 |
36 |
О применимости
теории вентильной фотоэдс к селеновым элементам |
Доклады АН Аз.
ССР, 1958, №6, с. 425-428 |
37 |
О расчете КПД
и квантового выхода вентильных фотоэлементов при воздействии на них
проникающим излучением |
Доклады АН Аз.
ССР, 1958, №3, с.201-205 |
38 |
О температурнорй
зависимости теплопроводности селена с примесью хлора |
ДАН СССР, 1958,
т.120, №1, с.76-78 |
39 |
Определение коэффициентов
диффузии Te и Sb в Se и влияние примесей брома
на процесс диффузии |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №2, с.19-25 |
40 |
Определение ЭДС
и сопротивления селеновых выпрямляющих элементов, находящихся под действием
излучения |
Доклады АН Аз.ССР,
1958, №1, с.3-7 |
41 |
Проводимость p-n перехода селеновых выпрямителей при сильных полях и разных температурах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №1, с.37-47 |
42 |
Влияние галлоидных
примесей на физические свойства селена |
В кн. “Вопросы
металлургии физики полупроводников”, Труды 3-го совещания по полупроводниковым
материалам, М., 1959, с.80-88 |
43 |
Влияние примеси
на эффект сильного поля в селеновых выпрямителях |
ФТТ, 1959, №11,
с.1670-1675 |
44 |
Исследование
влияния некоторых факторов на характеристики селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №5, с.65-74 |
45 |
Исследование
действия гамма-излучения на полупроводниковые системы CdS-CdSe-Se |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №4, с.23-24 |
46 |
Исследование
действия гамма-лучей, рентгеновских лучей и нейтронов на электрофизические
свойства выпрямляющих систем CdS-Se и CdSe-Se |
В кн. “Фотоэлектрические
и оптические явления в полупровониках” Труды первого Всесоюзного совещания
по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в полупроводниках, Киев,
1959, с.401 |
47 |
Исследование
диффузии Zn и Se в BiSe, Bi2Se3 и CdSb |
ФТТ, 1959, т.1,
№4, с.603-605 |
48 |
Исследование
фотопроводимости поликристаллического селенида кадмия под действием
гамма- и рентгеновских лучей |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №12, с.3-15 |
49 |
К вопросу об
испарении селена в вакууме |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3, с.39-44 |
50 |
О влиянии галлоидных
примесей на теплопроводность и диффузию в селене |
ФТТ, 1959, т.1,
№8, с.1296-1298 |
51 |
О влиянии степени
кристаллизации селена на характеристики фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №5, с.92-99 |
52 |
О диффузии некоторых
металлов в поликристаллическом селене |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, Труды 3-го совещания по полупроводниковым
материалам, М., 1959, с.89-93 |
53 |
Исследование
физических процессов в селене и селеновых выпрямителях |
Изд. АН Аз.ССР,
1959, 298 с. |
54 |
О выпрямляющем
свойстве PbS |
Доклады АН Аз.ССР,
1959, №11, с.999-1003 |
55 |
К вопросу об
испарении селена в вакууме |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3, с.39-44 |
56 |
Влияние примеси
висмута на самодиффузию селена |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №10, с.897-899 |
57 |
Селеновый выпрямитель
с цинковым катодом |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3 |
58 |
Об исследовании
диффузии некоторых элементов в полупроводниковых материалов ZnSb и CdSb |
Доклады АН Аз.ССР,
1959, №1, с.9-11 |
59 |
Исследование
диффузии ртути в теллуре термоэлектрическим методом |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №6, с.71-77 |
60 |
Влияние материала
верхнего электрода и площади элемента на фотоэлектрические характеристики
селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №1, с.7-10 |
61 |
Изучение упругости
насыщенных паров системы Se-Te |
Доклады АН Аз.ССР,
1960, №3, с.219-222 |
62 |
Исследование
образования p-n перехода в селеновых
фотоэлементах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №4, с.65-72 |
63 |
Исследование
тепловых и электрических свойств природного галенита и халькопирита |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №2, с.49-56 |
64 |
Исследование
тепловых и электрических свойств природного кобальта |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №3, с.55-58 |
65 |
О влиянии брома
на характеристики селеновых фотоэлементов |
Доклады АН Аз.ССР,
1960, №4, с.325-326 |
66 |
О некоторых свойствах
монокристаллов селенида таллия |
ФТТ, 1960, т.2,
№7, с.1518-1521 |
67 |
Развитие физики
в Азербайджанской ССР |
В кн. “Достижения
науки в Азербайджане”, Баку, Изд. АН Аз.ССР, 1960, с.24-33 |
68 |
Селеновые фотоэлементы
со слоями CdO, CdS, CdSe, CdTe |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №6, с.77-83 |
69 |
Термоустойчивые
селеновые фотоэлементы |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №5, с.79-84 |
70 |
Термоэлектрогенератор
из природного галенита |
Труды Института
физики АН Аз.ССР, 1960, т.10, с.80-86 |
71 |
Фотоэлектричекие
свойства полупроводниковых систем TlSe-Se и InSe-Se в рентгеновских лучах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1960, №5, c.437-441 |
62 |
Электрические
свойства селена с примесью висмута |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №, с.57-63 |
63 |
Влияние примеси
галлия и железа на теплопроводность и термоэдс германия |
Труды Института
физики АН Аз.. ССР, 1960, с.5-11 |
64 |
Исследование
диффузионных процессов в селеновых выпрямителях методом радиоизотопов |
Труды Института
физики Аз.ССР, 1960, с.13-21 |
65 |
Изучение приэлектродных
и электрохимических процессов в селене методом меченых атомов |
Труды Института
физики Аз.ССР, 1960, с.25-28 |
66 |
Бестигельная
зонная плавка вещества с малым поверхностным натяжением |
В кн. “Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961, с.4 |
67 |
Полупроводники |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 91с. |
68 |
Применение радиоизотопов
в физике полупроводников |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 151с. |
69 |
Философские беседы
о физике |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 107с. |
70 |
Полупроводниковые
преобразователи |
Баку, Елм, Институт
физики АН Аз. ССР, 1974, 296с. |
71 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
В кн. “Труды
Ташкентской конференции по мирному использованию атомной энергии”, Ташкент,
1961, т.1, с.256-259 |
72 |
Исследование
процессов диффузии в селеновых выпрямителях при помощи радиоактивных
изотопов |
В кн. “Труда
Ташкентской конференции по мирному использованию атомной энергии”, Ташкент,
1961, с.252-256 |
73 |
Исследование
упругости насыщенных паров некоторых селенидов методом радиоизотопов |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, 1961, с.38-42 |
74 |
Некоторые характеристики
селеновых вентильных фотоэлементов |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №1, с.9-12 |
75 |
О влиянии таллия
на теплопроводность поликристаллического селена |
ФТТ, 1961, т.3,
№2, с.326-327 |
76 |
О корреляции
в полупроводниках между энергией активации примесей, ионизационным потенциалом
и радиусом примесного атома |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №2, с. 97-102 |
77 |
О некоторых свойствах
монокристаллов теллурида сурьмы |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №5, с. 375-379 |
78 |
О теплопроводности
сульфида, селенида и теллурида сурьмы |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №5, с.55-63 |
79 |
О теплопроводности
твердых растворов Sb3Se-Sb2Se3 |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №10, с.877-879 |
80 |
Получение и исследование
полупроводниковых материалов Ag2Te, Ag2Se, SnSe, CdTe |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, М., 1961, с.104-106 |
81 |
Получение монокристаллов GaSe и изучение их свойств |
В кн.”Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961, с.3-4 |
82 |
Селеновые выпрямительные
элементы на повышенную плотность тока |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №4, с.51-63 |
83 |
Селеновые выпрямительные
элементы на повышенную плотность тока; характеристики элементов с применением
таллия |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №5, с.65-73 |
84 |
Селеновые фотоэлементы
со слоем GaSe |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №8, с.677-680 |
85 |
Термоэлектрические
свойства монокристаллов CuSbSe2 и СuSbS2 |
В кн. “Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961 |
86 |
Электрические
свойства селена с примесью галлия |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №3, с.191-196 |
87 |
Электрические
свойства чистого селена |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №7, с. 569-574 |
88 |
Исследование
влияния толщины p- и n-слоев на характеристики
селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1962, №6, с.69-75 |
89 |
Исследование
природы p-n перехода в селеновых
фотоэлементах |
В сб. “Электронно-дырочные
переходы в полупроводниках”, Ташкент, 1962, с.5-12 |
90 |
Исследование
физических свойств тройных полупроводниковых соединений CuSbSe2 |
Труды Института
физики АН Аз.ССР, 1962, т.Х1, с. 42-45 |
91 |
Исследование
эффекта сильного поля в p-n переходах селеновых выпрямителей |
В кн. “Труды
совещания по ударной ионизации и туннельному эффекту в полупроводниках”,
Баку, 1962, с.46-55 |
92 |
Корреляция в
полупроводниках между энергией активации и разностью ионизационных потенциалов
и атомных радиусов |
В сб. “Электронно-дырочные
переходы в полупроводниках”, Ташкент, Изд. АН Узбек.ССР, 1962, с.12-16 |
93 |
Методика выращивания
монокристаллов GaSe и исследование их
некоторых свойств |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №1, с.11-16 |
94 |
О влиянии некоторых
примесей на механизм ударной ионизации в селеновых выпрямителях |
В кн. “Труды
совещания по ударной ионизации и туннельному эффекту в полупроводника”,
Баку, 1962, с.83-86 |
95 |
Об одном возможном
способе оценки ширины запрещенной зоны некоторых тройных полупроводниковых
соединений |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №7, с.17-21 |
96 |
Об одном способе
применения сернистокадмиевых фотосопротивлений в саморегистрирующем
дозиметре рентгеновских и g-лучей |
В кн. ”Действие
ядерных излучений на материалы”, М., Изд. АН СССР, 1962, с.189-193 |
97 |
Об электрических
и термоэлектрических свойствах монокристаллов TlSe |
ФТТ, 1962, т.4,
№5, с.1206-1212 |
98 |
Термоэлектрические
свойства галленита и некоторые его применения |
В кн. “Тезисы
докладов II Всесоюзного совещания
по термоэлектричеству”, Л., 1962, с.13 |
99 |
Точечные диоды TlSe |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №4, с.11-13 |
100 |
Влияние примесей
галлия на теплопроводность гексагонального селена |
Доклады АН Аз.ССР,
1963, №8, с.9-13 |
101 |
Изучение свойств
селена и теллура |
Вестник АН СССР,
1963, №10, с.113-114 |
102 |
Исследование
растворимости селена и ртути в твердом теллуре и их влияние на электрические
свойства теллура |
Изв. АН Таджикской
ССР, 1963, №2 с. 13-22 |
103 |
I. Исследование физических свойств тройных полупроводниковых соединений. II. О некоторых свойствах монокристаллов CuSbS2 |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1963, №6, с.83-86 |
104 |
О влияние примесей
бисмута на теплопроводность и самодиффузию селена |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 5-10 |
105 |
О некоторых результатов
нанесения кадмия на селеновую пластинку электролитическим методом |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 11-18 |
106 |
О некоторых свойствах
монокристаллов CuSbSe2 |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 42-45 |
107 |
О теплопроводности
селена. |
ФТТ, 1963, т.
5, №12, с. 3614-3615 |
108 |
Селеновые фотоэлементы
с током насыщения |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1963, №3, с.77-85 |
109 |
Теплопроводность
некоторых соединений типа АIIIВV |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с 46-51 |
110 |
Термоэлектрические
свойства системы CuSbS2 - CuSbТе2 |
В кн: “Труды III Всесоюзного совещания по термоэлектричеству”,
М.,1963,
с. 28-29 |
111 |
Ток насыщения
в селеновых р-п переходах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1963, №1, с. 9-12 |
112 |
Влияние примеси
сурьмы на теплопроводность, плотность и микротвердость селена |
Доклады АН Аз.
ССР, 1964, №2,
с. 27-31 |
113 |
Высокочастотная
(ВЧ) магнитная восприимчивость слабых ферромагнитиков в антиферромагнитном
состоянии |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №6, с.43-45 |
114 |
Исследование
некоторых физических свойств монокристаллов соединений CuSbSe2 и CuSbS2 |
Доклад на III-м Всесоюзном совещании по полупроводниковым
соединениям. Кишинев, Изв. АН СССР, Сер. физическая, 1964, №6, с. 1096-1099 |
115 |
Исследование
приконтактных явлений селена с некоторыми металлами |
В кн. “Поверхностные
и контактные явления в полупроводниках” Томск, 1964 , с. 284-289 |
116 |
О влиянии дополнительных
заряженных центров на емкость кремниевых р-п переходов |
Доклады АН Аз.
ССР, 1964, №3, с. 17-21 |
117 |
О влиянии электрообработки
на свойства кремниевых диодов |
Радиотехника
и электроника, 1964, №7, с.1281-1286 |
118 |
О емкости и индуктивных
свойствах кремниевых диффузионных диодов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.81-89 |
119 |
Об ударной ионизации
в кремниевых p-n переходах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №1, с.91-94 |
120 |
P-n переходы
с отрицательным сопротивлением |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №6, с.47-51 |
121 |
Парамагнитный
резонанс в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1964, №10, с.13-16 |
122 |
Полупроводники AIIIBVI |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.107-114 |
123 |
Развитие физики
в Азербайджане |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.19-30 |
124 |
Электрические
свойства кристаллического ижидкого селена после обескислораживания |
ФТТ, 1964, т.6,
№4, с.1018-1022 |
125 |
Электрофизические
свойства монокристаллов TlSe |
Изв. АН СССР,
сер. физическая, 1964, №8, с.1323-1327 |
126 |
Получение и исследование
монокристаллов AIIIBVI |
In
“Proceedings of the 7th International Conference”, 1964, Париж, Дюно, с.1277-1282 |
127 |
Влияние примеси Mn на выпрямляющие свойства
перехода Se-CdSe |
В кн. “Селен,
теллур и их применение”. Баку, 1965,
с. 125-128 |
128 |
Влияние примеси
натрия на оптические свойства селена |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.20-26 |
129 |
Индуцированное
излучение в монокристалле GaSe при возбуждении быстрыми
электронами |
ДАН СССР, 1965,
т.161, с.1059 |
130 |
Исследование
диффузии и электрического переноса некоторых примесей в теллуре |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.53-63 |
131 |
Исследование
переходной характеристики восстановления обратного сопротивления в p-n переходах Si |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №1, с.14-18 |
132 |
К вопросу использования
солнечной энергии в Азербайджанской ССР |
В кн. “Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965 |
133 |
О влиянии кислорода
на явления переноса в селене высокой чистоты |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №3, с.18-26 |
134 |
О влиянии некоторых
примесей на електроемкость перехода Se-CdSe |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.115-121 |
135 |
О механизме размножения
носителей в Se p-n переходах в предпробойной области |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.102-107 |
136 |
О применении
солнечных термогенераторов для питания термоохлаждающих устройств |
В кн. “Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965 |
137 |
О реактивных
свойствах кремниевых диффузионных p-n переходов |
Радиотехника
и электроника, 1965, №4, с.776-778 |
138 |
О состоянии примеси Mn в Se |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №4, с.13-16 |
139 |
Очистка теллура
и получение его монокристаллов |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.42-52 |
140 |
Селен |
В кн.”Физический
энциклопедический словарь”, М., Сов. Энциклопедия, 1965, т.4, с.509-510 |
141 |
Солнечный термоэлектрогенератор
с разновысокими термоэлементами |
В кн.”Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965, с.71-73 |
142 |
Фотоэффект на p-n переходах селена |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.85-94 |
143 |
Электрические
свойства кристаллического и жидкого селена после обескислораживания |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.5-11 |
144 |
Влияние кислорода
на некоторые электрические свойства селена |
Phys.
Stat. Solidi, 1965, т.II,
c.891-898 |
| |
|
|