Publications
Список научных трудов Г.Б. Абдуллаева
за 1947-1965 гг.
1 |
Исследование
анодного скачка потенциала в полупроводнике на границе его соприкосновения
с металлом |
Доклады АН Аз.
ССР, 1947, №9, с.383-389 |
2 |
Исследование
температурной зависимости приэлектродного скачка потенциала в закиси
меди |
Доклады АН Аз.
ССР, 1950, №7, с.285-290 |
3 |
Исследование
температурной зависимости скачка потенциала в полупроводнике на границе
с металлом |
Труды Института
физики и математики АН Аз. ССР, 1951, т.5, с.11-20 |
4 |
Исследование
температурной зависимости приэлнктродного скачка потенциала в закиси
меди |
Известия АН СССР,
сер. физическая, 1952, №2, с.225-226 |
5 |
Электронные полупроводники
и их применение |
Изд. АН Аз.ССР,
1952, 52 с. |
6 |
Влияние рентгеновских
лучей на p-n переход |
Изв. АН Аз. ССР,
1954, №11, с.61-67 |
7 |
Исследование
электропровдности термоЭДС некоторых полупроводников |
Изв. АН Аз. ССР,
1955, №12, с.3-16 |
8 |
Определение (e/kT) из вольтомной характеристики селеных выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1955, №5, с.3-10 |
9 |
Действие гамма-
и рентгеновских лучей на селеновые выпрямители |
Доклады АН Аз.
ССР, 1956, №7, с.435-439 |
10 |
Исследование
фотопроводимости поликристаллического селенида садмия под действием
гамма- и рентгеновских лучей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №12, с.3-15 |
11 |
Исследование
приэлектродных электрохимических процессов в селене |
Труды Института
физики и математики АН Аз. ССР, сер. физическая, 1956, т.8, с.13-22 |
12 |
О механизме эффекта
сильного поля на p-n переходах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1956, №11, с.787-791 |
13 |
О перераспределении
примесей при формовке селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №2, с.3-9 |
14 |
О процессе формовки
осерненных селеновых выпрямителей |
Труды Института
физики и математики АН Аз.ССР, сер. Физическая, 1956, т.8, с.5-12 |
15 |
Об определении
составляющих эквивалентной электрической схемы полупроводниковых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №3, с.3-10 |
16 |
Электрографическое
исследование структуры выпрямляющих контактов селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз. ССР,
1956, №4, с.15-24 |
17 |
Влияние примеси
брома на теплопроводность селена |
ЖТФ, 1957, №9,
с.1971-1975 |
18 |
Влияние примеси
брома на теплопроводность селена |
Изв. АН Аз. ССР,
1957, №2, с.3-13 |
19 |
Влияние иода
на теплопроводность селена |
ДАН СССР, 1957,
т.114, №5, с.995-996 |
20 |
Изучение диффузии
таллия, олова и индия в селене |
Изв. АН Аз. ССР,
1954, №11, с.61-67 |
21 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1957, №11, с.1145-1148 |
22 |
Исследование
диффузии в селене некоторых металлов радиоактивными изотопами |
Доклады АН Аз.
ССР, 1957, №7, с.727-731 |
23 |
Исследование
физических процессов, происходящих на электронно-дырочных переходах |
В кн. “10 лет
АН Аз. ССР”, Баку, Изд. АН Аз. ССР, 1957, с.360-367В кн.:”Труды первой Научной сессии Совета
по координации АН Аз.ССР”, Баку, Изд. АН Аз. ССР, 1957, с.39-47 |
24 |
О влиянии примеси
хлора на теплопроводность селена |
ДАН СССР, 1957,
т.116, №4, с.598-600 |
25 |
О температурной
зависимости теплопроводности селена с примесью брома |
Доклады АН Аз.
ССР, 1957, №8, с 831-836 |
26 |
Определение коэфициента
диффузии теллура в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1957, №6, с.601-607 |
27 |
Полупроводниковые
выпрямители |
Баку, Изд. АН
Аз. ССР, 1958, 204с. |
28 |
Влияние примеси
хлора на электрические свойства селена |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №4, с.23-30 |
29 |
Влияние электроформовки,
термоэлектрической обработки на физические процессы, происходящие в
селеновых фотоэлементах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №6, с.43-53 |
30 |
Изучение диффузии
компонентов Te2Se методом меченых атомов |
ДАН СССР, 1958,
т.119, №2, с.267 |
31 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №5, с.7-13 |
32 |
Исследование
комплексного сопротивления селеновых выпрямителей |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №3, с.27-37 |
33 |
О влиянии примесей Ga и Fe на теплопроводность
германия |
ЖТФ, 1958, т.28,
№11, с.2368-2371 |
34 |
О влиянии примеси
хлора на теплопроводность селена |
Труды Института
физики и математики АН. Аз.ССР, сер. физическая, 1958, т.9, с.26 |
35 |
О диффузии кадмия
и олова в сплаве Cd-Sn |
Доклады АН. Аз.
ССР, 1958, №2, с. 103-104 |
36 |
О применимости
теории вентильной фотоэдс к селеновым элементам |
Доклады АН Аз.
ССР, 1958, №6, с. 425-428 |
37 |
О расчете КПД
и квантового выхода вентильных фотоэлементов при воздействии на них
проникающим излучением |
Доклады АН Аз.
ССР, 1958, №3, с.201-205 |
38 |
О температурнорй
зависимости теплопроводности селена с примесью хлора |
ДАН СССР, 1958,
т.120, №1, с.76-78 |
39 |
Определение коэффициентов
диффузии Te и Sb в Se и влияние примесей брома
на процесс диффузии |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №2, с.19-25 |
40 |
Определение ЭДС
и сопротивления селеновых выпрямляющих элементов, находящихся под действием
излучения |
Доклады АН Аз.ССР,
1958, №1, с.3-7 |
41 |
Проводимость p-n перехода селеновых выпрямителей при сильных полях и разных температурах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1958, №1, с.37-47 |
42 |
Влияние галлоидных
примесей на физические свойства селена |
В кн. “Вопросы
металлургии физики полупроводников”, Труды 3-го совещания по полупроводниковым
материалам, М., 1959, с.80-88 |
43 |
Влияние примеси
на эффект сильного поля в селеновых выпрямителях |
ФТТ, 1959, №11,
с.1670-1675 |
44 |
Исследование
влияния некоторых факторов на характеристики селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №5, с.65-74 |
45 |
Исследование
действия гамма-излучения на полупроводниковые системы CdS-CdSe-Se |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №4, с.23-24 |
46 |
Исследование
действия гамма-лучей, рентгеновских лучей и нейтронов на электрофизические
свойства выпрямляющих систем CdS-Se и CdSe-Se |
В кн. “Фотоэлектрические
и оптические явления в полупровониках” Труды первого Всесоюзного совещания
по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в полупроводниках, Киев,
1959, с.401 |
47 |
Исследование
диффузии Zn и Se в BiSe, Bi2Se3 и CdSb |
ФТТ, 1959, т.1,
№4, с.603-605 |
48 |
Исследование
фотопроводимости поликристаллического селенида кадмия под действием
гамма- и рентгеновских лучей |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №12, с.3-15 |
49 |
К вопросу об
испарении селена в вакууме |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3, с.39-44 |
50 |
О влиянии галлоидных
примесей на теплопроводность и диффузию в селене |
ФТТ, 1959, т.1,
№8, с.1296-1298 |
51 |
О влиянии степени
кристаллизации селена на характеристики фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №5, с.92-99 |
52 |
О диффузии некоторых
металлов в поликристаллическом селене |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, Труды 3-го совещания по полупроводниковым
материалам, М., 1959, с.89-93 |
53 |
Исследование
физических процессов в селене и селеновых выпрямителях |
Изд. АН Аз.ССР,
1959, 298 с. |
54 |
О выпрямляющем
свойстве PbS |
Доклады АН Аз.ССР,
1959, №11, с.999-1003 |
55 |
К вопросу об
испарении селена в вакууме |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3, с.39-44 |
56 |
Влияние примеси
висмута на самодиффузию селена |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №10, с.897-899 |
57 |
Селеновый выпрямитель
с цинковым катодом |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №3 |
58 |
Об исследовании
диффузии некоторых элементов в полупроводниковых материалов ZnSb и CdSb |
Доклады АН Аз.ССР,
1959, №1, с.9-11 |
59 |
Исследование
диффузии ртути в теллуре термоэлектрическим методом |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №6, с.71-77 |
60 |
Влияние материала
верхнего электрода и площади элемента на фотоэлектрические характеристики
селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1959, №1, с.7-10 |
61 |
Изучение упругости
насыщенных паров системы Se-Te |
Доклады АН Аз.ССР,
1960, №3, с.219-222 |
62 |
Исследование
образования p-n перехода в селеновых
фотоэлементах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №4, с.65-72 |
63 |
Исследование
тепловых и электрических свойств природного галенита и халькопирита |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №2, с.49-56 |
64 |
Исследование
тепловых и электрических свойств природного кобальта |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №3, с.55-58 |
65 |
О влиянии брома
на характеристики селеновых фотоэлементов |
Доклады АН Аз.ССР,
1960, №4, с.325-326 |
66 |
О некоторых свойствах
монокристаллов селенида таллия |
ФТТ, 1960, т.2,
№7, с.1518-1521 |
67 |
Развитие физики
в Азербайджанской ССР |
В кн. “Достижения
науки в Азербайджане”, Баку, Изд. АН Аз.ССР, 1960, с.24-33 |
68 |
Селеновые фотоэлементы
со слоями CdO, CdS, CdSe, CdTe |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №6, с.77-83 |
69 |
Термоустойчивые
селеновые фотоэлементы |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №5, с.79-84 |
70 |
Термоэлектрогенератор
из природного галенита |
Труды Института
физики АН Аз.ССР, 1960, т.10, с.80-86 |
71 |
Фотоэлектричекие
свойства полупроводниковых систем TlSe-Se и InSe-Se в рентгеновских лучах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1960, №5, c.437-441 |
62 |
Электрические
свойства селена с примесью висмута |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1960, №, с.57-63 |
63 |
Влияние примеси
галлия и железа на теплопроводность и термоэдс германия |
Труды Института
физики АН Аз.. ССР, 1960, с.5-11 |
64 |
Исследование
диффузионных процессов в селеновых выпрямителях методом радиоизотопов |
Труды Института
физики Аз.ССР, 1960, с.13-21 |
65 |
Изучение приэлектродных
и электрохимических процессов в селене методом меченых атомов |
Труды Института
физики Аз.ССР, 1960, с.25-28 |
66 |
Бестигельная
зонная плавка вещества с малым поверхностным натяжением |
В кн. “Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961, с.4 |
67 |
Полупроводники |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 91с. |
68 |
Применение радиоизотопов
в физике полупроводников |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 151с. |
69 |
Философские беседы
о физике |
Изд. АН Аз.ССР,
1961, 107с. |
70 |
Полупроводниковые
преобразователи |
Баку, Елм, Институт
физики АН Аз. ССР, 1974, 296с. |
71 |
Исследование
диффузии некоторых элементов в селене |
В кн. “Труды
Ташкентской конференции по мирному использованию атомной энергии”, Ташкент,
1961, т.1, с.256-259 |
72 |
Исследование
процессов диффузии в селеновых выпрямителях при помощи радиоактивных
изотопов |
В кн. “Труда
Ташкентской конференции по мирному использованию атомной энергии”, Ташкент,
1961, с.252-256 |
73 |
Исследование
упругости насыщенных паров некоторых селенидов методом радиоизотопов |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, 1961, с.38-42 |
74 |
Некоторые характеристики
селеновых вентильных фотоэлементов |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №1, с.9-12 |
75 |
О влиянии таллия
на теплопроводность поликристаллического селена |
ФТТ, 1961, т.3,
№2, с.326-327 |
76 |
О корреляции
в полупроводниках между энергией активации примесей, ионизационным потенциалом
и радиусом примесного атома |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №2, с. 97-102 |
77 |
О некоторых свойствах
монокристаллов теллурида сурьмы |
Доклады АН Аз.
ССР, 1961, №5, с. 375-379 |
78 |
О теплопроводности
сульфида, селенида и теллурида сурьмы |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №5, с.55-63 |
79 |
О теплопроводности
твердых растворов Sb3Se-Sb2Se3 |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №10, с.877-879 |
80 |
Получение и исследование
полупроводниковых материалов Ag2Te, Ag2Se, SnSe, CdTe |
В кн. “Вопросы
металлургии и физики полупроводников”, М., 1961, с.104-106 |
81 |
Получение монокристаллов GaSe и изучение их свойств |
В кн.”Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961, с.3-4 |
82 |
Селеновые выпрямительные
элементы на повышенную плотность тока |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №4, с.51-63 |
83 |
Селеновые выпрямительные
элементы на повышенную плотность тока; характеристики элементов с применением
таллия |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1961, №5, с.65-73 |
84 |
Селеновые фотоэлементы
со слоем GaSe |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №8, с.677-680 |
85 |
Термоэлектрические
свойства монокристаллов CuSbSe2 и СuSbS2 |
В кн. “Тезисы
докладов Всесоюзного совещания по полупроводниковым соединениям”, Л.,
1961 |
86 |
Электрические
свойства селена с примесью галлия |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №3, с.191-196 |
87 |
Электрические
свойства чистого селена |
Доклады АН Аз.ССР,
1961, №7, с. 569-574 |
88 |
Исследование
влияния толщины p- и n-слоев на характеристики
селеновых фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1962, №6, с.69-75 |
89 |
Исследование
природы p-n перехода в селеновых
фотоэлементах |
В сб. “Электронно-дырочные
переходы в полупроводниках”, Ташкент, 1962, с.5-12 |
90 |
Исследование
физических свойств тройных полупроводниковых соединений CuSbSe2 |
Труды Института
физики АН Аз.ССР, 1962, т.Х1, с. 42-45 |
91 |
Исследование
эффекта сильного поля в p-n переходах селеновых выпрямителей |
В кн. “Труды
совещания по ударной ионизации и туннельному эффекту в полупроводниках”,
Баку, 1962, с.46-55 |
92 |
Корреляция в
полупроводниках между энергией активации и разностью ионизационных потенциалов
и атомных радиусов |
В сб. “Электронно-дырочные
переходы в полупроводниках”, Ташкент, Изд. АН Узбек.ССР, 1962, с.12-16 |
93 |
Методика выращивания
монокристаллов GaSe и исследование их
некоторых свойств |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №1, с.11-16 |
94 |
О влиянии некоторых
примесей на механизм ударной ионизации в селеновых выпрямителях |
В кн. “Труды
совещания по ударной ионизации и туннельному эффекту в полупроводника”,
Баку, 1962, с.83-86 |
95 |
Об одном возможном
способе оценки ширины запрещенной зоны некоторых тройных полупроводниковых
соединений |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №7, с.17-21 |
96 |
Об одном способе
применения сернистокадмиевых фотосопротивлений в саморегистрирующем
дозиметре рентгеновских и g-лучей |
В кн. ”Действие
ядерных излучений на материалы”, М., Изд. АН СССР, 1962, с.189-193 |
97 |
Об электрических
и термоэлектрических свойствах монокристаллов TlSe |
ФТТ, 1962, т.4,
№5, с.1206-1212 |
98 |
Термоэлектрические
свойства галленита и некоторые его применения |
В кн. “Тезисы
докладов II Всесоюзного совещания
по термоэлектричеству”, Л., 1962, с.13 |
99 |
Точечные диоды TlSe |
Доклады АН Аз.ССР,
1962, №4, с.11-13 |
100 |
Влияние примесей
галлия на теплопроводность гексагонального селена |
Доклады АН Аз.ССР,
1963, №8, с.9-13 |
101 |
Изучение свойств
селена и теллура |
Вестник АН СССР,
1963, №10, с.113-114 |
102 |
Исследование
растворимости селена и ртути в твердом теллуре и их влияние на электрические
свойства теллура |
Изв. АН Таджикской
ССР, 1963, №2 с. 13-22 |
103 |
I. Исследование физических свойств тройных полупроводниковых соединений. II. О некоторых свойствах монокристаллов CuSbS2 |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1963, №6, с.83-86 |
104 |
О влияние примесей
бисмута на теплопроводность и самодиффузию селена |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 5-10 |
105 |
О некоторых результатов
нанесения кадмия на селеновую пластинку электролитическим методом |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 11-18 |
106 |
О некоторых свойствах
монокристаллов CuSbSe2 |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с. 42-45 |
107 |
О теплопроводности
селена. |
ФТТ, 1963, т.
5, №12, с. 3614-3615 |
108 |
Селеновые фотоэлементы
с током насыщения |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1963, №3, с.77-85 |
109 |
Теплопроводность
некоторых соединений типа АIIIВV |
Труды Ин-та физики
АН Аз. ССР, 1963, т. II, с 46-51 |
110 |
Термоэлектрические
свойства системы CuSbS2 - CuSbТе2 |
В кн: “Труды III Всесоюзного совещания по термоэлектричеству”,
М.,1963,
с. 28-29 |
111 |
Ток насыщения
в селеновых р-п переходах |
Доклады АН Аз.
ССР, 1963, №1, с. 9-12 |
112 |
Влияние примеси
сурьмы на теплопроводность, плотность и микротвердость селена |
Доклады АН Аз.
ССР, 1964, №2,
с. 27-31 |
113 |
Высокочастотная
(ВЧ) магнитная восприимчивость слабых ферромагнитиков в антиферромагнитном
состоянии |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №6, с.43-45 |
114 |
Исследование
некоторых физических свойств монокристаллов соединений CuSbSe2 и CuSbS2 |
Доклад на III-м Всесоюзном совещании по полупроводниковым
соединениям. Кишинев, Изв. АН СССР, Сер. физическая, 1964, №6, с. 1096-1099 |
115 |
Исследование
приконтактных явлений селена с некоторыми металлами |
В кн. “Поверхностные
и контактные явления в полупроводниках” Томск, 1964 , с. 284-289 |
116 |
О влиянии дополнительных
заряженных центров на емкость кремниевых р-п переходов |
Доклады АН Аз.
ССР, 1964, №3, с. 17-21 |
117 |
О влиянии электрообработки
на свойства кремниевых диодов |
Радиотехника
и электроника, 1964, №7, с.1281-1286 |
118 |
О емкости и индуктивных
свойствах кремниевых диффузионных диодов |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.81-89 |
119 |
Об ударной ионизации
в кремниевых p-n переходах |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №1, с.91-94 |
120 |
P-n переходы
с отрицательным сопротивлением |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №6, с.47-51 |
121 |
Парамагнитный
резонанс в селене |
Доклады АН Аз.ССР,
1964, №10, с.13-16 |
122 |
Полупроводники AIIIBVI |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.107-114 |
123 |
Развитие физики
в Азербайджане |
Изв. АН Аз.ССР,
сер. физ.-тех. и мат. наук, 1964, №3, с.19-30 |
124 |
Электрические
свойства кристаллического ижидкого селена после обескислораживания |
ФТТ, 1964, т.6,
№4, с.1018-1022 |
125 |
Электрофизические
свойства монокристаллов TlSe |
Изв. АН СССР,
сер. физическая, 1964, №8, с.1323-1327 |
126 |
Получение и исследование
монокристаллов AIIIBVI |
In
“Proceedings of the 7th International Conference”, 1964, Париж, Дюно, с.1277-1282 |
127 |
Влияние примеси Mn на выпрямляющие свойства
перехода Se-CdSe |
В кн. “Селен,
теллур и их применение”. Баку, 1965,
с. 125-128 |
128 |
Влияние примеси
натрия на оптические свойства селена |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.20-26 |
129 |
Индуцированное
излучение в монокристалле GaSe при возбуждении быстрыми
электронами |
ДАН СССР, 1965,
т.161, с.1059 |
130 |
Исследование
диффузии и электрического переноса некоторых примесей в теллуре |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.53-63 |
131 |
Исследование
переходной характеристики восстановления обратного сопротивления в p-n переходах Si |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №1, с.14-18 |
132 |
К вопросу использования
солнечной энергии в Азербайджанской ССР |
В кн. “Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965 |
133 |
О влиянии кислорода
на явления переноса в селене высокой чистоты |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №3, с.18-26 |
134 |
О влиянии некоторых
примесей на електроемкость перехода Se-CdSe |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.115-121 |
135 |
О механизме размножения
носителей в Se p-n переходах в предпробойной области |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.102-107 |
136 |
О применении
солнечных термогенераторов для питания термоохлаждающих устройств |
В кн. “Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965 |
137 |
О реактивных
свойствах кремниевых диффузионных p-n переходов |
Радиотехника
и электроника, 1965, №4, с.776-778 |
138 |
О состоянии примеси Mn в Se |
Доклады АН Аз.ССР,
1965, №4, с.13-16 |
139 |
Очистка теллура
и получение его монокристаллов |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.42-52 |
140 |
Селен |
В кн.”Физический
энциклопедический словарь”, М., Сов. Энциклопедия, 1965, т.4, с.509-510 |
141 |
Солнечный термоэлектрогенератор
с разновысокими термоэлементами |
В кн.”Всесоюзное
совещание по использованию солнечной энергии”, Ашхабад, 1965, с.71-73 |
142 |
Фотоэффект на p-n переходах селена |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.85-94 |
143 |
Электрические
свойства кристаллического и жидкого селена после обескислораживания |
В кн “Селен,
теллур и их применение”, Баку, 1965, с.5-11 |
144 |
Влияние кислорода
на некоторые электрические свойства селена |
Phys.
Stat. Solidi, 1965, т.II,
c.891-898 |
| |
|
|
| Список научных трудов Г.Б. Абдуллаева за
1966-1971 гг. |
145 |
Влияние примесей на эффект
сильного поля в селеновых p-n переходах |
В кн. “Физика p-n переходов”,
Рига, 1966, с.194-200 |
146 |
Влияние примесей переходных
металлов на время жизни неосновных носителе в n-Si |
Радиотехника и электроника,
1966, т.II, №6, с.1151-1154 |
147 |
Влияние частичного замещения
германия лантаном на термоэлектрические свойства GeTe |
Доклады АН Аз.ССР, 1966, №6,
с.13-14 |
148 |
Влияние частичного замещения
олова лантаном на термоэлектрические свойства SnTe |
Доклады АН Аз.ССР, 1966, №5,
с.12-13 |
149 |
Влияние частичного замещения
олова Si, Ge, Pb на электрические и тепловые свойства SnTe |
Доклады АН Аз.ССР, 1966, №2,
с.11-13 |
150 |
Выпрямляющие и фотоэлектрические
свойства монокристаллов p-GaSe на контакте
металл-полупроводник |
В кн. “Тезисы III Всесоюзного совещания по физическим явлениям в p-n переходах в полупроводниках”, Тбилиси,
1966, с.125 |
151 |
Емкостные и индуктивные свойства
диффузионных кремниевых p-n переходов |
В кн. “Полупроводниковые элементы
в приборостроении”, М., 1966, с.46-53 |
152 |
Исследование поведения центров
с мелкими примесными уровнями в p-n переходах Si в постоянном электрическом
поле |
В кн. “Физика p-n переходов”,
Рига, 1966, с.14-21 |
153 |
Исследование отрицательного
сопротивления в системе Al-Cu2S |
В кн. “Тезисы III Всесоюзного совещания по физическим явлениям в p-n переходах в полупроводниках”, Тбилиси,
1966 |
154 |
Исследование реактивных свойств
диффузионных p-n переходов |
В кн. “Тезисы III Всесоюзного совещания по физическим явлениям в p-n переходах в полупроводниках”, Тбилиси,
1966, с. 40 |
155 |
Исследование термоэлектрических
свойств некоторых твердых растворов SnTe-CuAs (Sb,Bi) Te2 |
Доклады АН Аз. ССР, 1966, №4,
с.26-28 |
156 |
Исследование физических свойств
полупроводниковых соединений |
Вестник АН СССР, 1966, №2,
с. 158-159 |
157 |
Исследование электрофизических
свойств некоторых твердых растворов в системе SnTe-SnS(Se) |
Доклады АН Аз. ССР, 1966, №3,
с.17-19 |
158 |
О времени жизни электронов
в p-базе кремниевых диффузионных p-n переходов |
В кн. “Тезисы III Всесоюзного совещания по физическим явлениям в p-n переходах в полупроводниках”, Тбилиси,
1966, с. 62 |
159 |
О механизме прводимости и рассеяния
фононов в легированном GaSb |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1966, №6, с. 69-75 |
160 |
О некоторых свойствах p-n перехода в селене чистотой 99,99999 % |
В кн. “Физика p-n переходов”,
Рига, 1966, с. 188-193 |
161 |
О новых свойствах селена высокой
чистоты |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1966, №1, с.77-85 |
162 |
О реактивных свойствах обратно-смещенных
кремниевых p-n переходов |
Радиотехника и электроника,
1966, т II, вып.7, с.1336-1337 |
163 |
Роль химической связи в некоторых
физических свойствах селена |
В кн. “Химическая связь в полупроводниках
и термодинамика”, Минск, 1966, с. 164-173 |
164 |
Селеновые выпрямители и их
применение |
В кн. “Полупроводниковые элементы
в приборостроении”, М., 1966, с. 31-35 |
165 |
Взаимодействие примесей натрия
и кислорода в селене |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т. 18, с. К 153-К 156, ГДР
|
166 |
Влияние примесей на некоторые
физические свойства селена |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
13, с. К 109-К 113, ГДР
|
167 |
Выпрямляющие и фотопроводящие
свойства монокристаллов p-GaSe |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
16, с. К 209-К 214, ГДР
|
168 |
Изучение поведения кислорода
в слене методом ЭПР |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
16, с. К 113-К 116, ГДР
|
169 |
Исследование релаксации фотопроводимости
в монокристаллах p-GaSe |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
14, с. К 127-К 130, ГДР
|
170 |
Исследование теплопроводности
аморфного селена в области размягчения |
Phys.
Letters, 1966 т. 23, №3, с. 215-216
|
171 |
О рассеянии фононов в легированных
кристаллах GaSb |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
17, с.
777-781, ГДР
|
172 |
О
теплопроводности и термоэдс монокристаллов гексагонального селена |
Phys.
Letters, 1966, т.23,
№3, с. 217-219, Голландия |
173 |
Определение содержания кислорода
в селене |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
16, с. К 31-К 34, ГДР
|
174 |
Теплопроводность селена |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
13, с. 315-323, ГДР
|
175 |
Термоэдс соединений типа AIBIIIC2VI в твердом и жидком состояниях |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
18, с. К 29-К 31, ГДР
|
176 |
Электропроводность кристаллов n-InSe в сильных электрических полях |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
17, с. 593-596, ГДР
|
177 |
Электропроводность монокристаллов p-GaSe в сильных электрических полях |
Phys.
Stat. Solidi, 1966, т.
16, с. 205-208, ГДР
|
178 |
Влияние примесей диспрозия
на некоторые физические свойства селена высокой чистоты |
Доклады АН Аз.ССР, 1967, №2,
с. 14-16 |
179 |
Влияние примесей на электрические
свойства сульфида свинца |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1967, №2, с. 66-70 |
180 |
Влияние степени кристалличности
в примеси кислорода на тип проводимости стеклообразного селена |
В кн.: Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по стеклообразным халькогенидным полупроводникам,
Л., 1967, с.3 |
181 |
Влияние электрического поля
на кинетику кристаллизации селена из аморфного и жидкого состояний |
В кн. : Тезисы докладов III научно-технической конференции по вопросам электрографии.
Вильнюс, 1967 |
182 |
Изучение донорно-акцепторных
взаимодействий в селене методом ЭПР |
Изв.АН Азерб. ССР. Серия физ.-техн.
и мат. наук, 1967, №6, с.16-21 |
183 |
Исследование теплопроводности
сильнолегированных полупроводников AIIIBV и Ge |
В кн. Физические свойства полупроводников AIIIBV и AIIIBVI,
Баку, 1967, с.305-311 |
184 |
Исследование теплопроводности
слоистых кристаллов GaS, GaSe и GaTe при одноосном сжатии
в направлении слабой Ван-дер-Ваальсовской связи |
В кн. Симпозиум по химической
связи в полупроводниках. Минск, 1967, с.62 |
185 |
О влиянии электростатического
поля на кристаллизацию аморфного селена |
Доклады АН Аз.ССР, 1967, №9,
с.10-13 |
186 |
О
новых полупроводниковых соединениях типа AIBIIIC2VI и AIIIBIIIC2VI. |
В кн.: Симпозиум по химической
связи в полупроводниках, Минск, 1967, с.54 |
187 |
О происхождении дырочной проводимости
селена |
Физика и техника полупроводников,
1967, т.1, вып.4, с.519-521 |
188 |
Полупроводниковый термоэлектрический
трансформатор тепловой энергии. |
Гелиотехника, 1967. №6, с.3-8 |
189 |
Спектр инфракрасного поглощения
стеклообразного селена с различным содержанием кислорода |
В кн.: Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по стеклообразным халькогенидным полупроводникам,
Л.: 1967, с.4 |
190 |
Термоэлектрические свойства
сульфида свинца p-типа |
Доклады АН Аз.ССР, 1967, №1,
с.9-12 |
191 |
Управление температурой стеклообразования
и физическими параметрами аморфного селена в области размягчения, изменений
структуры и связи между молекулами |
В кн.: Тезисы докладов IV Всесоюзного симпозиума по стеклообразным халькогенидным полупроводникам,
Л.: 1967, с.3 |
192 |
Исследование времени жизни
электронов p-Si |
Phys.
Stat. Solidi, 1967, т.
21, №1,
с. 423-429, ГДР |
193 |
Исследование реактивной характеристики
диффузионных кремниевых p-n переходов |
Phys.
Letters, 1967, т. 24 А, №12, с.642-643, Голландия |
194 |
Исследования электропроводности
поликристаллов и монокристаллов p-GaTe в
сильных электрических полях |
Phys.
Stat. Solidi, 1967, т. 20, №2, с. 421-425, ГДР
|
195 |
Получение и исследование электрических
свойств монокристаллов Cu2Se |
Phys.
Stat. Solidi, 1967, т.
21, №2, с. 461-464, ГДР
|
196 |
Автоматическое устройство для
стабилизации температуры термоэлектрических камерах холода |
В кн. “ Тезисы докладов Межвузовской
конференции по термоэлектрическим материалам и преобразователям”, М.,
1968, с. 38
|
197 |
Исследование влияния структурных
вакансий и межатомных расстояний на теплопроводность некоторых селенидов
переходных элементов |
В кн. “III Всесоюзная теплофизическая конференция по свойствам веществ при высоких
температурах”, 1968, Баку, с. 37 |
198 |
К вопросу о спектральной фотопроводимости
монокристаллов CdIn2S4 |
ФТП, 1968, т.2, вып.7, с. 1048-1050
|
199 |
О происхождении линии ЭПР и
влиянии примесей Tl и Mn на образование
состояний с переносом заряда в селене |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1968, №6, с. 76 |
200 |
О явлениях переноса в слоистых
полупроводниках типа AIIIBVI |
В кн. “IX Международная конференция по физике полупроводников”, 1968,
Л., “Наука”, с. 101-102 |
201 |
Об изменении характера химической
связи при плавлении соединений AIBIIIC2VI |
Изв. АН СССР, Неорг. материалы,
1968, т.4, №8, с. 1233-1235
|
202 |
Определение распределения потенциала
вдоль проводникового диода с плавным p-n переходом по параметрам
инверсии |
Доклады АН Аз. ССР, 1968, №3,
с. 11-15 |
203 |
Подводный термогенератор на
газовом топливе для катодной защиты морских нефтеных индивидуальных
оснований |
Доклады АН Аз. ССР, 1968, №11,
с. 26 |
204 |
Полупроводниковый солнечный
термоэлектрогенератор с разновысокими термоэлементами |
Гелиотехника, 1968, №5, с.
3-7 |
205 |
Термоэлектрические микротермостаты
для биологических объектов |
В кн. “Тезисы докладов Межвузовской
конференции по термоэлектрическим материалам преобразователям”, М.,
1968, с. 39 |
206 |
Теплопроводность селена |
В кн. “III Всесоюзная теплофизическая конференция по свойствам веществ при высоких
температурах”, 1968, Баку, с. 36-37 |
207 |
Электронный естественный сернистый
свинец в качестве материала для отрицательной ветви термоэлементов |
В кн. “ Тезисы докладов Межвузовской
конференции по термоэлектрическим материалам и преобразователям”, М.,
1968, с. 6
|
208 |
Исследование реактивных свойств
диффудионных p-n переходов в
области высоких уровней инжекций и сильных электрических полей |
Solid
State Electronics, 1968, т.11, с. 233-239, Англия |
209 |
Исследование электрических
свойств монокристаллов Cu2S |
Phys.
Stat. Solidi, 1968, т.26, с. 65-68,
ГДР |
210 |
Температурное и инфракрасное
гашение фотопроводимости в монокристаллах n-InSe |
Phys.
Stat. Solidi, 1968, т.25, с. 75-79, ГДР |
211 |
Влияние донорно-акцепторных
взаимодействий на некоторые свойства селена |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзной
юбилейной конференции по ЭПР”, Казань, 1969, с. 45 |
212 |
Влияние термообработки и примесей
натрия на электропроводность аморфного селена |
В кн. “Физические основы электрофотографии”.
Краткое изложение докладов II Всесоюзной конференции по физическим основам электрофотографии. Вильнюс,
1969, с. 7-11 |
213 |
Влияние электростатического
поля на кинетику кристаллизации селена из газовой фазы |
Кристаллография, 1969, т.14,
№6, с. 1108-1110 |
214 |
Высокотемпературное исследование
ЭПР поглощения в селене |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзной
юбилейной конференции по ЭПР”, Казань, 1969, с. 6 |
215 |
Дианмика распада состояний
с переносом заряда в селене |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1969, №3, с. 11-17 |
216 |
Зависимость электропроводности
аморфного селена от предыстории |
В кн. “Физические основы электрофотографии”.
Краткое изложение докладов II Всесоюзной конференции по физическим основам электрофотографии. Вильнюс,
1969, с. 3-6 |
217 |
О явлениях переноса в слоистых
полупроводниках типа AIIIBVI |
В кн. “IX Международная конференция по физике полупроводников”, 1969,
Л., “Наука”, т.2, с. 1309-1313 |
218 |
Об индуктивности кремниевых
диффузионных диодов с различной длиной базы |
ФТП, 1969, т.3, вып.5, с. 778-781 |
219 |
Оптические свойства аморфного
селена |
В сб. “Спектроскопия твердого
тела”, 1969, т.IV, с. 103-106 |
220 |
Особенности конструкции работы
подводного полупроводникового термоэлектрического генератора на газовом
топливе (ТЭГГ-ПВ) для катодной защиты морских индивидуальных оснований |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1969, №4, с. 7-10 |
221 |
Полупроводниковый гипотермический
аппарат |
В кн. ”Труды III съезда хирургов РСФСР“, Горький, 1969, с. 196 |
222 |
Рекомбинационное излучение
в некоторых широкозонных полупроводниках под действием пучка быстрых
электронов |
Успехи физ. наук, 1969, т.99,
вып.3, с. 509 |
223 |
Рекомбинационное излучение
монокрисьаллов CdIn2S4 при возбуждении
быстырми электронами |
ФТП, 1969, т.3, вып.9, с. 1428 |
224 |
Термоэлектрические свойства
электронного синтезированного и естественного сернистого свинца |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1969, №5, с. 114-118 |
225 |
Электрические свойства некоторых
халькогенидов в контакте с металлом |
Успехи физ. наук, 1969, т.99,
вып.3, с 505-507 |
226 |
Электронномикроскопические
исследования пленок селена в качестве элемента микроэлектроники |
В кн. “Физико-химические методы
контроля и технологические способы обработки материалов микроэлектроники”,
М., 1969, с. 6
|
227 |
Выращивание монокристаллов a и b-красного
моноклинного селена и исследование их некоторых физических свойств |
In.
“The Physics of Selenium and Tellurium”. Proceedings of the I International
Symposium held at Montreal, Pergamon Press, Нью-Йорк, 1969, с. 179-197 |
228 |
Исследование комплексов с переносом
заряда в селене методом ЭПР |
In.
“The Physics of Selenium and Tellurium”. Proceedings of the I International
Symposium held at Montreal, Pergamon Press, Нью-Йорк, 1969, с. 321-324 |
229 |
Индуктивность кремниевых диффузионных
диодов с различной длиной базы |
Soviet
Physics Semiconductors, 1969, т.3, №5, с. 663-665 |
230 |
Физические свойства новых полупроводников CdInS2, (Se2,Te2) |
New
Semiconductors Compounds Materials Research Bulletin, 1969, т.4, №11, с. 343-344 |
231 |
Влияние длительности термообработки
при различных температурах на парамагнетизм селена |
Доклады АН АЗ. ССР, 1970, №8,
с. 17-20 |
232 |
Влияние предварительной термообработки
на проводимость поликристаллического селена |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1970, №1-2, с. 116-121 |
233 |
Влияние элекктростатического
поля и предыстории на процесс кристаллизации селена |
Изв. ВУЗ. Физика, 1970, №10,
с. 117-120 |
234 |
Генерация в GaSe при двухфотонном оптическом возбуждении |
ФТП, 1970, т.4, вып.7, с. 1395-1397
|
235 |
Исследование физических процессов
в диффузионных кремниевых p-n переходах при высоких уровнях
инжекции и в сильных электрических полях |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1970, №1-2, с. 84-102 |
236 |
Клинический рентгенодозиметр
с полупроводниковым детектором |
В кн. “Тезисы докладов IX Всесоюзного съезда по радиологии”, Тбилиси, 1970, с. 202
|
237 |
О распаде парамагнитных центров
в селене |
ФТП, 1970, т.4, вып.1, с. 97-100 |
238 |
Прибор для автоматической непрерывной
записи составляющих полной проводимости полупроводниковых диодов в зависимости
от напряжения смещения |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1970, №5, с. 42-54 |
239 |
Реактивные свойства диффузионных
кремниевых вентильных фотоэлементов |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1970, №4, с. 65-70 |
240 |
Фотопроводимость и люминесценция
селенида галлия при двухфотонном возбуждении |
ФТП, 1970, т.4, вып.7, с. 1393-1395
|
241 |
Исследование различных эффектов
в селеновых p-n переходах |
In.
“International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor
Heterojunctions and Layer Structures”, Budapest, 1970 |
242 |
Исследование физических свойств
МОП структур на основе Se и Te |
In.
“International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor
Heterojunctions and Layer Structures”, Budapest, 1970, с. 141 |
243 |
О новых аналогах полупроводниковых
соединений типа TlSe |
Physics
Letters, 1970, т.33 А, №7, с. 421-422, Голландия |
244 |
Об электропроводности монокристаллов Se-CdSe, обусловленные глубокими ловушками |
Acta
Physica et. Chemica, 1970, т.16, №3-4 |
245 |
О чувствительности рекомбинационных
центров в монокристаллах GaSe |
Phys.
Stat. Solidi, 1970, т.37,
№2, с. 571-576 |
246 |
Об электропроводности монокристаллов GaTe с примесью олова в сильных электрических
полях |
Phys.
Stat. Solidi (A), 1970, т.2, №3, с. 463-468 |
247 |
Некоторые вопросы физики электронно-дырочных
переходов |
Баку, “Элм”, 1971, 224 с. |
248 |
Блок дисперсии к радиоспектрометру
РЭ1301 |
Доклады АН Аз. ССР, 1971, №11-12,
с. 19-22 |
249 |
Влияние донорно-акцепторных
взаимодействий на некоторые свойства селена |
В сб. “Парамагнитный резонанс”.
Материалы Всесоюзной Юбилейной конференции по парамагнитному резонансу.
Казань, 1971, с. 99-104 |
250 |
Высокотемпературное исследование
ЭПР поглощения в селене |
В сб. “Парамагнитный резонанс”.
Материалы Всесоюзной Юбилейной конференции по парамагнитному резонансу.
Казань, 1971, с. 104-106 |
251 |
Излучательная рекомбинация
в полупроводниках AIIIBVI |
В кн. “Тезисы Всесоюзной конференции
по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света”,
Баку, 1971, с. 61 |
252 |
Излучательная рекомбинация
в четвертном кристаллофосфоре CdInGaS4 |
В кн. “Тезисы Всесоюзной конференции
по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света”,
Баку, 1971, с. 63 |
253 |
Инфракрасная люминесценция
монокристаллов GaSe, легированных примесями
олова и германия |
Украинский физический журнал,
1971, т.16, №11, с. 1806-1811
|
254 |
Исследование влияния примесей
на электропроводность жидкого селена |
В кн. “Тезисы совещания по
явлениям переноса в электронных расплавах”, Л., 1971, с. 15 |
255 |
Исследование диодной структуры
на основе халькогенидов меди |
В кн. “Тезисы симпозиума по
физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах”, Вильнюс,
1971 |
256 |
Исследование скорости распространения
ультразвука в полупроводниковых матреиалах |
В кн.”Тезисы докладов VII Всесоюзной акустической конференции”, Л., 1971, с. 95-97 |
257 |
Исследование термоэлектрических
свойств твердых растворов на основе PbS,
PbSe, PbTe |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по низко- и среднетемпературным термоэлектрическим материалам”,
Кишинев, 1971, с. 52
|
258 |
Лабораторная испытательная
термокамера “Союг” |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по низко- и среднетемпературным термоэлектрическим материалам”,
Кишинев, 1971, с. 159
|
259 |
Механизм образования парамагнитных
центров в Se |
В сб. “Физические свойства
селена и селеновых приборов”, Баку, 1971, с. 150-162 |
260 |
Микроволновой спектр молекулы
2-фторэтанола |
Оптика и спектроскопия, 1971,
т.30, №5, с. 989-990 |
261 |
Микроволновой спектр молекулы
третичного бутилового спирта |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1971, №4, с. 46-51 |
262 |
Новый калориметр на полупроводниковых
преобразователях |
В кн. “Доклады VI Всесоюзной конференции по калориметрии”, М., 1971, с. 148 |
263 |
О действии селена на лизосомы |
Доклады АН Аз. ССР, 1971, №11-12,
с. 23-27 |
264 |
О некоторых особенностях ИК
поглощения аморфного селена |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1971, №4, с. 100-113 |
265 |
О некоторых особенностях образования
парамагнитнях центров в селене |
ФТП, 1971, т.5, вып.4, с. 719-722 |
266 |
Об инверсии реактивности p-n переходов |
ДАН СССР, 1971, т.200, №2, с. 314-315
|
267 |
Оптическое поглощение монокристаллов CdGa2Se4 |
ФТП, 1971, т.5, вып.11, с. 2132-2135
|
268 |
Полупроводниковые тензорезисторы
из сульфида свинца n-типа |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1971, №1, с. 39-44 |
269 |
Примесная фотопроводимость
селенида галлия при возбуждении светом рубинового лазера |
ФТП, 1971, т.5, вып.2, с. 374-376 |
270 |
Радиационная чувствительность
и радиационная стойкость селеновых приборов |
Радиационная физика неметаллических
кристаллов, Киев, 1971, т.3, ч.2, с. 197-200 |
271 |
Рентгенографическое исследование
структурных превращений в Ag2Se |
В кн. “Тезисы докладов X Всесоюзного совещания по применению рентгеновских лучей к исследуемым
материалам”, М., 1971, с. 225 |
272 |
Система теплообмена с промежуточным
теплоносителемдля термоэлектрических преобразователей |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по низко- и среднетемпературным термоэлектрическим материалам”,
Кишинев, 1971, с. 158
|
273 |
Температурная зависимость вольтамперных
характеристик переключающих систем металл-сульфид-серебро-металл |
В кн. “Тезисы симпозиума по
физике плазмы и электрическим неустойчивостям в твердых телах”, Вильнюс,
1971 |
274 |
Теплопроводность некоторых
двойных и тройных селенидов переходных металлов |
В сб. “Теплофизические свойства
твердого вещества”, М., 1971, с. 106-108 |
275 |
Термоэлектрический охладитель
фотокатодов ФЭУ |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по низко- и среднетемпературным термоэлектрическим материалам”,
Кишинев, 1971, с. 157-158
|
276 |
Термоэлектрический охладитель “Фототерм” |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по низко- и среднетемпературным термоэлектрическим материалам”,
Кишинев, 1971, с. 157
|
277 |
Фото- и катодолюминесценция
некоторых соединений AIIBIIIC4VI |
В кн. “Тезисы Всесоюзной конференции
по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света”,
Баку, 1971, с. 63-64 |
278 |
Фотопроводимость монокристаллов CdIn2S4, схема рекомбинации |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1971, №4, с. 127-131 |
279 |
Электрические свойства жидкой
системы селен - сера |
В кн. “Тезисы совещания по
явлениям переноса в электронных расплавах”. Л., 1971, с.14 |
280 |
Электролюминесценция в гетеропереходах
на базе поликристаллического селена |
В кн. “Тезисы Всесоюзной конференции
по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света”,
Баку, 1971, с. 61 |
281 |
Электролюминесценция сплавных GaSe p-n переходов |
В кн. “Тезисы Всесоюзной конференции
по рекомбинационному излучению и полупроводниковым источникам света”,
Баку, 1971, с. 62 |
282 |
Эффект влияния света на формирование
электрического потенциала сетчатки |
Доклады АН Аз ССР, 1971, №10,
с. 19-31 |
283 |
Эффект переключения и памяти
на контакте кристалла CdIn2S4 с металлом |
ДАН СССР, 1971, т.199, №2, с. 313-336
|
284 |
Усиление ультразвука в косых
срезах CdS в непрерывном
поле |
In:
Proceedings of the 7th International Congress on Acoustical, Будапешт, 1971, т.4, с. 353 |
285 |
Пьезоэлектрический осциллятор
тока |
In:
Abstracts of the European Semiconductor Device Research Conference, Мюнхен, 1971, т.I, с.
357-359
|
| Список научных трудов Г.Б. Абдуллаева за
1972-1977 гг. |
286 |
Селен и зрение |
Баку, “Элм”, 1972, 50 с. |
287 |
Влияние постоянного электрического
поля на формирование селеновых электрофотографических слоев |
Доклады АН Аз. ССР, 1972, №11-12,
с. 15-19 |
288 |
Влияние прилипания на рекомбинацию
носителей в монокристаллах |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1972, №2, с. 29-39 |
289 |
GaSe – новый эффективный материал для нелинейной оптики |
Письма в ЖТФ, 1972, т.16, вып.3,
с. 130-133 |
290 |
Глубокие ловушки в селеновых
приборах |
В кн. “Тезисы совещания по
глубоким центрам в полупроводниках”, Одесса, 1972, с. 3 |
291 |
Изучение селена |
Вестник АН СССР, 1972, №12,
с. 25-31 |
292 |
Исследование влияния эмиттерного
тока на емкость коллекторного перехода транзисторов |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1972, №2, с. 144-148 |
293 |
К вершинам науки |
В сб. “Наука Союза ССР”, М.,
“Наука”, 1972, с.233-264 |
294 |
К исследованию диэлектрической
релаксации в селене |
Доклады АН Аз. ССР, 1972, №5,
с. 20-24 |
295 |
Получение фотографических изображений
на тонких пленках селенида галлия и индия |
ФТП, 1972, т.6, вып.6, с. 1166-1168
|
296 |
Реактивные свойства фосфидгаллиевых
светодиодов |
ФТП, 1972, т.6, вып.II, с. 2150-2153
|
297 |
Фотопроводимость и люминесценция
монокристаллов GaIn2S4 |
В сб. “Проблемы соединений AIIBVI”, Вильнюс,
1972, т.2, с. 388
|
298 |
Фотопроводимость и процессы
прилипания и рекомбинации в монокристаллах CdGa2Se4 |
ФТП, 1972, т.6, вып.9, с. 1729-1734
|
299 |
Эффект переключения и памяти
на контакте металл-CdZn2S4 |
В кн. “Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI”, Кишинев, 1972, с. 236-238 |
300 |
Диаграмма состояния и физические
свойства псевдобинарных систем TlSe-InSe |
Materials
Research Bulletin, Pergamon
Press, 1972, т.7, с.
1497-1504
|
301 |
Селен |
Soviet
Sciences Review, 1972, т.3, №1, с. 7-12 |
302 |
Спектр отражения CdGa2S4 и CdGa2Se4 в поляризованном
свете |
Phys.
Stat. Solidi (B),
1972, т.54, с. К 115-К 117, ГДР |
303 |
Электропоглощение в монокристаллах GaTe |
Phys.
Stat. Solidi, 1972, т.49, №1, с.
К 19-К 22, ГДР |
304 |
Влияние примеси алюминия на
электрофизические свойства селенида меди |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1973, №1, с. 59-62 |
305 |
Влияние селена на иммунологические
особенности плазмы крови облученных животных |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №10,
с. 35-38 |
306 |
Влияние селена на развитие
и яйцепродукцию капустной совки Barathra Brassical L.
(Lepidoptera noctuidae) |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №5,
с. 57-61 |
307 |
Исследование люминесценции
и межслоевого взаимодействия в GaSe при 4,2°К
и 16°К |
В кн. “Тезисы докладов на XXI Всесоюзном совещании по люминесценции”,
Ставрополь, 1973, с. 112 |
308 |
Исследование роли эмиссионных
токов в пленочных структурах на основе селена |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по диэлектрической электронике”, Ташкент, 1973, с. 3 |
309 |
Некоторые аспекты возможного
участия селена в механизме зрения |
В сб. “Материалы по биохимии
витаминов Е и селена, и их применению в медицине и животноводстве”,
Киев, “Наукова думка”, 1973, с. 5-6 |
310 |
Некоторые физико-химические
аспекты механизма усиления световой чувствительности фоторецепторов
с помшью соединения селена |
В сб. “Материалы по биохимии
витаминов Е и селена, и их применению в медицине и животноводстве”,
Киев, “Наукова думка”, 1973, с. 30-32 |
311 |
Некоторые электрические и фотоэлектрические
свойства аморфного селена |
В кн. “Тезисы Международной
конференции по высокоомным полупроводникам”, Болгария, Варна, 1973 |
312 |
О радиозащитном свойстве селена |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №3,
с. 12-17 |
313 |
О сложных аналогах полупроводников
типа TeSe |
Журнал физической химии. Депонирован
ВИНИТИ от 28 июня 1973, №6398, с. 73 |
314 |
Об ингибировании селеном свободнорадикальных
состояний сетчатки глаза |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №3,
с. 25-28 |
315 |
Об эффектах световой памяти
в кристаллах CdIn2S4 |
ФТП, 1973, т.6, вып.4, с. 821-822 |
316 |
Определение сечения поглощения
света неравновесными носитеями, созданными рубиновым лазером в кристаллах
селенида индия |
ФТП, 1973, т.7, вып.2, с. 2225-2227
|
317 |
Оптические свойства CdGa2S4 и CdGa2Se4 в области 200-600
нм |
ФТП, 1973, т.7, вып.4, с. 840-842 |
318 |
Процесс кристаллизации аморфного
селена с некоторыми примесями |
Журнал физической химии, 1973,
т.XLVII, №5, с. 1335 |
319 |
Пьезофоторезистивный эффект
на монокристаллах TlInSe2 |
ДАН СССР, 1973, т.208, №5, с. 1052-1057
|
320 |
Развитие физики в Советском
Азербайджане |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1973, т.XLVII, №5, с. 1335
|
321 |
Ранний рецепторный потенциал
и механизм фоторецепции |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №8,
с. 39-46 |
322 |
Рекомбинационное излучение
в гетеропереходах на базе селена |
В кн. “Тезисы докладов на XXI Всесоюзном совещании по люминесценции”,
Ставрополь, 1973, с. 12-13 |
323 |
Рекомбинационное излучение
в твердых растворах при возбуждении неодимовым ОКГ |
ФТП, 1973, т.7, вып.6, с. 1108-1110
|
324 |
Роль селена в защитно-приспособительных
реакциях организма |
В сб. “Материалы по биохимии
витаминов Е и селена, и их применению в медицине и животноводстве”,
Киев, “Наукова думка”, 1973, с. 4-5 |
325 |
Селен и опухолевый рост в эксперименте |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №3,
с. 18-23 |
326 |
Селеновый влагоэлемент – новый
вид полупроводникового преобразователя |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №2,
с. 17-21 |
327 |
Структура и дипольный момент
молукулы пропаргилового спирта |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1973, №1, с. 38-41 |
328 |
Токи, ограниченные пространственным
зарядом в аморфном селене |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по диэлектрической электронике”, Ташкент, 1973, с. 4 |
329 |
Тонкая структура линии излучения
основного состояния экситона в n=0
в GaSe |
ФТП, 1973, т.7, вып.4, с. 818-820 |
330 |
Фотопроводимость монокристаллов GdInGaS4, легированных золотом.
Схема рекомбинации |
ФТП, 1973, т.7, вып.II, с. 2144-2148
|
331 |
Фотопроводимость, процессы
прилипания и рекомбинации в монокристаллах CdGa2S4, легированных
золотом |
ФТП, 1973, т.7, вып.6, с. 1051-1057
|
332 |
Электрические свойства монокристаллов
гексагонального селена с примесью брома и хлора |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1973, №3, с. 50-53 |
333 |
ЭПР в облученном быстрыми электронами
селене |
Доклады АН Аз. ССР, 1973, №4,
с. 11-13 |
334 |
Явления диэлектрической электроники
в селеновых диодных структурах |
В кн. “Тезисы докладов Всесоюзного
совещания по диэлектрической электронике”, Ташкент, 1973, с. 5-11 |
335 |
Четный акустоэлектрический
полупроводниковый детектор |
In:
“International Conference on Solid State Devices”, Токио, 1973, с. 9 |
336 |
Электрические свойства монокристаллов Fe7Se8 и NiFe2Se4 Fe3Se |
Phys.
Stat. Solidi (A), 1973, т.20, №1, с. К
29-К 31 |
337 |
Эффект переключения в монокристаллах
соединений AIIIBVI, A2IIIB3VI и AIIB2IIIC4VI |
Phys.
Stat. Solidi (A), 1973, т.16, №2, с. К 143-К 146 |
338 |
Влияние соединения Se на формирование ответа сетчатки, вызванного
электрическим стимулом |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 23-31 |
339 |
Влияние соединения селена на
формирование электроретинограммы в различных эксперментальных условиях |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 11 |
340 |
Влияние электрического поля
на электропроводность легированных монокристаллов селенида и теллурида
галлия |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с.122-125 |
341 |
Данные о радиопротекторном
свойстве селена |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 122-125 |
342 |
Действие Se на генерацию и проведение оптенциалов действия в изолированных
нервах холоднокровных и теплокровных животных |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 32-34 |
343 |
Излучательная рекомбинация
в полупроводниках AIIIBVI |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 132 |
344 |
Изучение обмена селена при
различных гематологических заболеваниях |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 119-121 |
345 |
Исследование краевой люминесценции
в монокристаллах GaSe |
ФТТ, 1974, т.16, №1, с. 19-24 |
346 |
Исследование краевой люминесценции
монокристаллов GaSe при низких температурах |
В кн. “Сборник научных трудов
Всесоюзного научно-исследовательского института люминофоров и особочистых
веществ”, 1974, вып.11, с. 70-74 |
347 |
Исследование края собственного
поглощения нового полупроводникового соединения CdInGaS4 |
ФТП, 1974, т.8, вып.11, с. 2183-2185
|
348 |
Исследование реактивных свойств p-n структуры |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 3-9 |
349 |
Исследование селена |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1974, №5, с. 3-12 |
350 |
Вопросы о структуре аморфного
и жидкого селена |
Доклады АН Аз. ССР, 1974, №7,
с. 13-19 |
351 |
Клинический рентгенометр с
полупроводниковым датчиком |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 71-72 |
352 |
Некоторые итоги и перспективы
исследований влияния селена на биологические системы |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 3-10 |
353 |
О возможной регуляции свободнорадикального
состояния сетчатки глаза соединениями селена |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 54-57 |
354 |
О межзонных переходах в CdIn2S4 |
ФТП, 1974, т.8, вып.6, с. 1210-1213
|
355 |
О механизме образования парамагнитных
центров в селене |
В сб. “Физические свойства
селена и селеновых приборов”, Баку, “Элм”, 1974, с. 150-162 |
356 |
О некоторых результатах исследования
ЭПР в селене |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 21-32 |
357 |
О применении метода спектра
мутности в ИК-области для изучения надмолекулярной структуры аморфного
селена |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1974, №4, с. 67-75 |
358 |
О противоопухолевом действии
селена |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 126-128 |
359 |
Об изменении молекулярной структуры
селена с температурой |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 44-52 |
360 |
Определение параметров рекомбинационных
Г-центров в монокристаллах Ga, Te, легированных германием |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 78-87 |
361 |
Получение и исследование монокристаллов
гексагонального селена |
В сб. “Физические свойства
селена и селеновых приборов”, Баку, “Элм”, 1974, с. 3-20 |
362 |
Ранний рецепторный потенциал
глаза кроликов в хронических экспериментах |
Физиологический журнал СССР,
1974, т.60, №5, с. 708-716 |
363 |
Ранний рецепторный потенциал
сетчатки в норме и при воздействии селенсодержащего вещества |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1974, с. 35-43 |
364 |
Роль предварительной термообработки
в формировании электрических свойств поликристаллического селена |
В кн. “Исследования по физике
полупроводников”, Баку, “Элм”, 1974, с. 33-43 |
365 |
Спантанное и лазерное излучение
селенида галлия при электронном возбуждении |
Квантовая электроника, 1974,
т.I, №1, с.143-146 |
366 |
Электрические свойства селена |
В сб. “Физические свойства
селена и селеновых приборов”, Баку, “Элм”, 1974, с. 85-108 |
367 |
О спиральном росте GaSxSe1-x (0<x<1) |
In:
“Proceedings of the IX International Conference on Crystal Growth”, Токио, 1974, с.
40
|
368 |
Физика селена |
Баку, “Элм”, 1975, 403 с. |
369 |
Воздействие соединений селена
на дыхательную цепь митохондрий |
Доклады АН Аз. ССР, 1975, №10,
с. 7 |
370 |
Вольт-амперные характеристики CdIn2S4 на симметричных контактах |
В кн. “Физика и химия сложных
полупроводников”, Кишинев, Штиинца, 1975, с. 60-75 |
371 |
Двухмодовый характер фононных
спектров отражения твердых растворов GaS1-xSex |
ФТП, 1975, т.9, вып.10, с. 2007-2009
|
372 |
Изучение фотоиндуцированных
свободнорадикальных состояний в пигментном эпителии глаза животных |
Доклады АН Аз. ССР, 1975, №2,
с. 31-40 |
373 |
Исследование влияния кристаллизации
селена на тензорезистивный эффект в диодах |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1975, №1, с. 3-9 |
374 |
Микроволновая фотопроводимость
нативной сетчатки глаза кроликов |
Доклады АН Аз. ССР, 1975, №9,
с. 11 |
375 |
О взаимосвязи структуры и электрофизических
свойств жидкого селена |
Изв. АН Аз.ССР, 1975, №4, с. 84-90
|
376 |
О соотношении осцилляторных
потенциалов электроретинограммы и компонентов вызванного ответа зрительной
коры |
Физиологический журнал СССР,
1975, т.LIX, №11, с. 1626-1633
|
377 |
Параметрическое преобразование
ИК-излучения в кристалле GaSe |
Квантовая электроника, 1975,
т.2, №6, с. 1228-1233 |
378 |
Состояние и перспективы получения
сложных полупроводников, исследования их физических свойств и создание
преобразователей на их основе |
В кн. “Материалы XII научной сессии совета по координации научно-исследовательских
работ АН Аз. ССР”, Баку, “Элм”, 1975, с. 12 |
379 |
Структура зоны проводимости
и явления переноса заряда и тепла в Ag2Te и Ag2Se |
В кн. “Материалы IV Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной
зоной и полуметаллам”, Львов, 1975, ч. IV, с. 54 |
380 |
Фотопроводимость нового четверного
кристалло- фосфора. CaInGaS4 |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1975, №1, с. 31-35 |
381 |
ЭПР Mn2 в монокристаллах GaSe |
ФТТ, 1975, т.17, №6, с. 1794-1796
|
382 |
Электроретинограмма, вызванная
гелий-неоновым и рубиновым лазерными лучами |
Доклады АН Аз. ССР, 1975, №8,
с. 77-84 |
383 |
Электрофизиологические и морфологические
исследования при экспериментальной дистрофии сетчаки |
Изв. АН Аз.ССР, сер. биол.
наук, 1975, №2, с. 111-132 |
384 |
Исследование спектра колебания
в CdIn GaS4 методом инфракрасной
спектроскопии |
Phys.
Stat. Solidi, 1975, т.28, с. К 81-К 134
|
385 |
Влияние некоторых органических
соединений селена на световую чувствительность глаз, оцениваемую по
параметрам электрических реакций сетчатки |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.1, с. 7-13 |
386 |
Влияние селена, введенного
прямым химическим способом, на механические свойства полиэтиленовых
пленок |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №1,
с. 16-18 |
387 |
Влияние соединений Se на антиокислительную активность и продукты переокисления липидов
печени при канцерогенезе |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.2, с. 44-46 |
388 |
Генерация разностной частоты
в кристалле GaSe с плавной
перестройкой в диапазоне 560-1050 см-1 |
Квантовая электроника, 1976,
т.3, №1, с. 163-167 |
389 |
Действие соединений селена
на активность некоторых ферментов лизосом |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.1, с. 124-127 |
390 |
Изменение нейрональных реакций
и вызванных ответов на световые стимулы в структурах изолированной сетчатки
при воздействии некоторых соединений селена |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.1, с. 28-30 |
391 |
Изучение влияния селеносодержащих
пищевых экстрактов на зрительную функцию при дистрофнях сетчатки |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.1, с. 14-23 |
392 |
Изучение эффективности применения
соединений селена при лучевой терапии карциномы Брауна-Пирс у кроликов |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.2, с. 8-12 |
393 |
Кинетика фотоиндуцированных
потенциалов суспензии наружных сегментов фоторецепторов |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №2,
с. 56-62 |
394 |
Непрямые экситоны в селениде
галлия |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №8,
с. 13-15 |
395 |
Новый фотоакустический эффект |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №1,
с. 20-21 |
396 |
О биологическом действии Сер-хешта
на животный организм |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.2, с. 40-43 |
397 |
О радиозащитных свойствах селенсемикарбазида |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.2, с. 3-7 |
398 |
Об образовании соленерастворяющей
воды |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №10,
с. 38-40 |
399 |
Предварительные данные о влиянии
органического соединения селена на функциональное состояние сетчатки
при ее экспериментальной патологии |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.1, с. 35-42 |
400 |
Термостимулированные токи в
монокристаллах GaSe в сильных электрических
полях |
Доклады АН Аз. ССР, 1976, №2,
с. 18-20 |
401 |
Уровень SH – групп крови у облученных животных, получавших селенсемикарбазид |
В кн. “Селен в биологии”, Материалы
научной конференции. Баку, “Элм”, 1976, кн.2, с. 12-15 |
402 |
Далекий инфракрасный спектр
отражения в TlGaSe2 |
Phys.
Stat. Solidi (A), 1976, т.34, с. К 115-К 117 |
403 |
Анизотропия электрических свойств
селенида индия |
В сб. “Некоторые вопросы экспериментальной
и теоретической физики”, Баку, 1977, с. 35-46 |
404 |
Влияние на ЭПР поглощение в
селене условий формирования его полимерной структуры |
В кн. “Материалы научной сессии
по электронному парамагнитному резонансу”, Тбилиси, 1977, с. 1-3 |
405 |
Динамика свободно-радикальных
реакций в пигментном эпителии глаз птиц при эбриональном развитии |
В кн. “Материалы научной сессии
по электронному парамагнитному резонансу”, Тбилиси, 1977, с. 4-5 |
406 |
Исследования дивинилнитрильного
каучука с малыми добавками селена методами ЭПР и ИК-спектроскопии |
В кн. “Материалы научной сессии
по электронному парамагнитному резонансу”, Тбилиси, 1977, с. 3-4 |
407 |
Исследование особенностей роста
диэлектрических пленок окиси алюминия в процессе электрохимического
анодирования |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №1,
с. 19-24 |
408 |
Исследование тонких пленок
сульфида меди |
В сб. “Некоторые вопросы экспериментальной
и теоретической физики”, Баку, 1977, с. 217-219 |
409 |
Исследование электронных ловушек
в монокристаллах CdInGaS4 |
ФТП, 1977, т.11, №1, с. 14-18 |
410 |
К вопросу построения модели
источника ошибок в УКВ радиоканале |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №1,
с. 7-11 |
411 |
К вопросу электропроводности
и ширины запрещенной зоны селенида индия |
В сб. “Некоторые вопросы экспериментальной
и теоретической физики”, Баку, 1977, с. 28-34 |
412 |
О возможности направленного
изменения проводимости аморфного селена |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №1,
с. 16-17 |
413 |
О возможности фазового перехода
в TlGaSe2 |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №11,
с. 26-30 |
414 |
О кинетике разрядки электрофотографических
слоев, изготовленных на основе CdInGaS4 |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №8,
с. 32-35 |
415 |
О новой инфракрасной полосе
излучения в GaSe при 77 К |
ФТП, 1977, т.2, вып.II, с. 2248-2249
|
416 |
Оптические свойства CdInGaS4 в области 2-12 эВ |
В сб. “Некоторые вопросы экспериментальной
и теоретической физики”, Баку, 1977, с. 177-184 |
417 |
Осцилляторные потенциалы в
структурах зрительной системы |
Физиологический журнал СССР,
1977, т.LXIII, №12, с. 1653-1661
|
418 |
Пределы концентрационной и
температурной стабильности сульфида свинца |
В сб. “Некоторые вопросы экспериментальной
и теоретической физики”, Баку, 1977, с. 194-201 |
419 |
Проводимость аморфных пленок GaSe в сильных
электрических полях |
ФТП, 1977, т.II, вып.10, с. 1972-1975
|
420 |
Резонансное излучение TlSe в области сплошного спектра |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №6,
с. 13-15 |
421 |
Свободно-радикальное состояние
пигментного эпителия при различной функциональной активности сетчатки |
В кн. “Материалы научной сессии
по электронному парамагнитному резонансу”, Тбилиси, 1977, с. 5-6 |
422 |
Токи термостимулированной деполяризации
и поляризации в монокристаллах GaSe:Ge |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №4,
с. 14-18 |
423 |
Электрические свойства p-n структур малой площади в тонких эпитаксиальных пленках кремния |
Доклады АН Аз. ССР, 1977, №7,
с. 17-21 |
424 |
Электрофотографические свойства
соединения CdGa2Se4 чистого и легированного
золотом |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1977, №4, с. 54-58 |
425 |
Эстафетный механизм переноса
заряда в тонких пленках GaSe |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1977, №1, с. 59-63 |
426 |
Эффект переключения и памяти
в структуре Al-Si-SiO2-Al |
Микроэлектроника, 1977, т.6,
вып.5, с. 462-464 |
427 |
Внутрислоевое взаимодействие
и экситонный спектр в монокристаллах GaSe при низких температурах |
II
Nuovo Cimento, 1977, т.38, В, №2, с. 469-477 |
428 |
Концентрация захваченных на
ловушке и освобожденных в зону проводимости электронов в некристаллических
диэлектриках |
ФТП, 1978, т.20, №2, с. 351-358 |
429 |
Микроплазменное явление на
контакте InGa-GaSe при 300°К |
ФТП, 1978, т.12, вып.2, с. 307-310
|
430 |
Переносной термоэлектрический
термостат |
Вопросы радиоэлектроники. Серия.
Тепловые режимы термостатирования радиоэлектронной аппаратуры, 1978,
вып.1, с. 100-102 |
| Список
научных трудов Г.Б. Абдуллаева за 1978-1988 гг. |
1 |
Некоторые пути рационального
поиска сложных полупроводников-аналогов |
Баку, Элм, 1978 |
2 |
Электрические и фотоэлектрические
свойства полупроводниковых гетероструктур, полученных лазерным облучением |
Докл. АН Аз.ССР, 1978, №9, с.25-27 |
3 |
Образование полупроводниковых
гетероструктур излучением лазера |
ФТП, 1978, 18, №11, с.2275-2278 |
4 |
Исследование влияния селена
на кинетику накопления свободных радикалов в фибраине |
Докл. АН Аз.ССР, 1978, №11,
с.20-24 |
5 |
Фотостимулированные колебания
полупроводниковой пластины в электрическом поле |
Письма в ЖЭТФ, 1978, №17, с.1061-1063 |
6 |
Фотоэелектрические свойства
тонких пленок GaSe в сильных электрических полях |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. наук, 1978, №1, с.36-39 |
7 |
Взаимодействие лазерного излучения
с полупроводниками типа AIIIBVI |
Баку, Элм, 1979, 137с. |
8 |
Влияние g-
и электронного облучения на спектральные характеристики моноселенида
галлия |
Докл. АН Аз.ССР, 1979, №2, с.11-13 |
9 |
Длинноволновое ИК-отражение e-GaSe |
ФТТ, 1979, №3, с.910-912 |
10 |
Фотодиоды и фоторезисторы на
основе GaSe |
РЭ, 1979, №7, сч.1430-1432 |
11 |
Атомная диффузия в полупрповодниковых
структурах |
М. Атомиздат, 1980, 280 с. |
12 |
Влияние гамма- и электронного
облучения на электрические свойства селенида галлия |
Докл. АН Аз.ССР, 1980, №2, с.24-27 |
13 |
Влияние обработки поверхностей
термоэлементов на их термоэлектрческие свойства |
Докл. АН Аз.ССР, 1980, №4, с.22-24 |
14 |
Влияние магнитного поля на
термоэлектрическую добротность n-Ag2Te |
Докл. АН Аз.ССР, 1980, №4, с.29-32 |
15 |
Анизотропия фотопроводимости
моноселенида индия при высоких уровнях оптического возбуждения |
Письма в ЖЭТФ, 1980, №1, с.44-46 |
16 |
Особенности фотопроводимости
анизотропных кристаллов InSe |
ФТП, 1980, №9, с.1842-1845 |
17 |
Анализ уровня развития акусто-электронных
устройств |
Препринт №32, ИФАН Аз.ССР, 1980,
с.1-22 |
18 |
Электрическая пелаксация на
постоянном токе в структурах M-GaSe-M |
ФТП, 1980, №9, с.1817-1819 |
19 |
Реактивные свойства Al-SiO2-nSi -структур |
Докл. АН Аз.ССР, 1980, №4, с.25-28 |
20 |
Достижения азербайджанских ученых
в области физики и техники полупроводников |
Проблемы современной физики,
1980, с.564-573 |
21 |
Фотопроводимость моноселенида
индия при высоких уровнях оптического возбуждения |
ФТП, 1980, №11, с.2228-2232 |
22 |
Установление ариентационных
соотношений в эвтектике PbS-NiSb |
Докл. АН Аз.ССР, 1980, №11,
с.23-26 |
23 |
Глубокие уровни в эпитаксиально-планарные Si p-n переходах |
Тез. Докл. 2-ого Всесоюз. совещ.
по глубоким уровням в полупроводниках, ТГУ, 1980, 4.1, с.7-8 |
| |
|
|
24 |
Осцилляция тока и направления
в Si МОП-структурах |
Тез. Докл. 2-ого Всесоюз. совещ.
по плазме и неустойчивостям в полупроводниках, Вильнюс, 1980, с.176 |
25 |
Физика селеновых преобразователей |
Баку, Элм, 1981, 304 с. |
26 |
Температурно-силовая зависимость
долговечности монокристаллов гексагонального селена |
Докл. АН Аз.ССР, 1981, 37, №5 |
27 |
Влияние гамма- нейтронного и
электронного облучения на фоточувствительные структуры из GaSe |
ФТП, 1981, №4, с.799-801 |
28 |
Электронно-микроскопические
исследования p-n переходов,
полученные электродиффузией Al через SO2 в nSi |
Препринт №39, ИФАН Аз.ССР, 1981,
с1-27 |
29 |
Влияние селена на кинетику электрического
разрушения полиэтилена |
Докл. АН Аз.ССР, 1981, №9, с.47-53 |
30 |
Генерация электрических колебаний
в структурах Al-SiO2-Si-M |
Сб: «Полупроводниковые преобразователи»,
Баку, 1981, 69 с. |
31 |
Электропроводимость, термо-эдс
и магнитная восприимчивостьсплавов селенидов галлия и германия в твердом
и жидком состояниях |
Изв. АН ТССР, сер. физ.-тех.
хим. и геол. н., 1981, №5 |
32 |
Внутризонное поглощение света
монокристаллами InSe, индуцированное излучением рубинового лазера |
ФТТ, 1981, №11, с.3452-3454 |
33 |
Влияние лазерного облучения
на фотоэлектрические свойства моноселенида таллия |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. н., 1981, №6, с.80-83 |
34 |
Влияние гамма- и нейтронного
облучения на спектры фотолюминесценции |
ФТП, 1982, №6, с.1136-1137 |
35 |
Влияние селенида галлия на некоторые
физические свойства селенида германия |
Изв. АН СССР, Неорг. Материалы,
1982, №9, с. 1586-1587 |
36 |
Состояние и перспектива развития
электрофотографии |
Препринт, ИФАН Аз.ССР, 1982,
№59, с.44 |
37 |
Механизм тока в диффузионных p-n переходах на основе
монокристаллов твердого раствора GexSi1-x |
Изв. АН Аз.ССР, сер. физ.-тех.
и мат. н., 1982, №2, с. 89-92 |
38 |
Долговременные релаксации и
остаточная фотопроводимость в монокристаллах Ga2Se3 |
ФТП, 1982, №9, с.1640-1642 |
39 |
Исследование механической и
электрической долговечностей полиэтилена с добавкой селена при одновременном
воздействии механической разгрузки, электрического поля и разрядов |
Докл. АН Аз.ССР, 1983, №1, с.24-28 |
40 |
Влияние проникающего излучения
на электрофизические свойства селенида галлия |
Изв. АН СССР, Неорг. материалы,
1983, №4, с.679-681 |
41 |
Фотоэлектрические свойства твердых
растворов GeSe-GaSe |
Изв. АН ТССР, сер. физ.-тех.
хим. и геол. н., 1983, №4, с.91-93 |
42 |
Исследование теплопроводности
сплава системы Ge1-xGaxSe |
Аз. ИСИ, Баку, 1983, с.6, Рук.деп.
в АзНИИНТИ 5 ноября 1983, №130 Аз-Д.83 |
43 |
Свободные и связанные экситоны
в монокристалле TlInSe2 |
Письма в ЖЭТФ, 1983, 38, №11,
с.525-526 |
44 |
Характеристика биполярных электрофотографических
слоев ZnO, CdGa2Se4; Cu и ZnO, CdIn GaSn:Cu |
Докл. АН Аз.ССР, 1983, №4,
с. 18-23 |
45 |
Электрическая прочность полупроводниковых
приборов при импульсной нагрузке |
Сб: «Полупроводниковая электроника
в технике и связи» под ред. И.Ф. Николаевского, М., вып.23, Радио и
связь, 1983 |
46 |
Достижения физики в Азербайджане |
«Успехи физических наук», 1983,
№4, с. 709-713 |
47 |
Фото- и электролюминесценция
неодима в монокристаллах GaSe |
«Квант. электрон», М., 1984,
№3, с.605-608 |
48 |
Оже-переходы в моноселениде
индия |
ФТТ, 1984, №2, с.529-530 |
49 |
Исследования теплопроводности
и электрических свойств системы Ge1-xGaxSe |
Изв. АН ТССР, сер. физ.-тех.
хим. и геол. н., 1984, №4, с.95-97 |
50 |
Фотостимулированная поляризация
идеполяризация в тонких пленках M-GaSe-M |
«Thin. Solid
Films», 1984, т.117, с.81-85 |
51 |
Физико-химические и электрические
свойства твердых растворов GaxGe1-xSe |
Изв. АН ТССР, сер. физ.-тех.
хим. и геол. н., 1985, №2, с.93-94 |
52 |
Индуктивность полупроводниковых
структур |
Тез. докл. Научно-техн. сем.
«Приборы с ОС», М., 1985, с.10 |
53 |
Термостат для нелинейного оптического
кристалла |
«Приборы и техника эксперимента»,
1985, №1, с.255 |
54 |
Фотолюминесценция монокристаллов e и Ga2S4 |
Ред. «Ж. приклад. спектроскопии»,
Минск, 1985, с.7, Рук.деп. в ВИНИТИ, 21, 1. 1985, №557-85ДП |
55 |
Временная эволюция плотности
элетронно-дырочной жидкости в слоистом селениде индия |
ФТТ, 1986, т.28, в.9, с.2900-2902 |
56 |
Атомная диффузия в полупроводниковых
структурах |
Нью-Йорк, Лондон, Париж, 1986 |
57 |
Сверхплотная и высокотемпературная
компенсированная электронно-дырочная плазма в монокристаллах |
Тез.19 Междунар. конф. по физике
полупроводников, 1987 |
58 |
Радикально-рекомбинационная
люминесценция селена и селенида кадмия |
Тез.19 Междунар. конф. по физике
полупроводников, 1987, Тез. Всесоюз. конф. по электрофотографии, 1988 |
59 |
Исследование взаимосвязи микродефектов
электрофотографического изображения с макструктурой слоев стекловидного
селена |
Тез. Всесоюз. конф. по электрофотографии,
М.,1988 |
60 |
Теплоемкость и электропроводность
сверхпроводника |
Докл. АН Аз.ССР |
|
|
|
|