Представление

Научная, научно-организационная, педагогическая и общественная деятельность

академика Гасана Абдуллаева

Можно прочитать это представление в формате PDF по русски

You can download and/or print this presentation in PDF format in English

Гасан Мамед Багир оглы Абдуллаев (20.08. 1918 – 01.09. 1993) выдающийся азербайджанский и советский физик, создатель школы физики полупроводников в Азербайджане, ведущий в мире ученый в области электроники и новых технологий, чьи фундаментальные исследования и научные достижения легли в основу современных систем мобильной связи и интернета.

Доктор физико-математических наук, профессор  Г.Б.Абдуллаев основатель нового научного направления в физике полупроводников на основе селена и его аналогов. Результаты его исследований широко известны в мире.

Возглавив в 1950 году Институт физики и математики АН Азербайджанской ССР, который специализировался в области нефти, Г.Б. Абдуллаев сразу же приступил к  созданию Института Физики с полупроводниковым направлением (ИФАН). Этот институт был в результате создан  и с 1957 года стал   головным в  СССР научным заведением по исследованию физики селена и теллура и разработке приборов на их основе. Впоследствии ИФАН стал ведущим в СССР также и по молекулярной и атомной спектроскопии. Академик Абдуллаев возглавлял ИФАН до конца своей жизни, он подготовил многочисленные научные кадры, в частности более 60 докторов и 100 кандидатов наук ( по данным на 1984 г.).

В 1954 г. в  Азербaйджанском Государственном Университете (ныне БГУ), Абдуллаев основал и возглавил  одну из первых в СССР - кафедру полупроводников, там же в 1975 г. создал первую в республике кафедру астрофизики.

Ученый и организатор науки, педагог и общественный деятель академик Г.Б. Абдуллаев с 1970 по 1984 годы - Президент Академии Наук Азербайджана; член-корреспондент Академии Наук СССР и Российской Академии Наук; ведущий эксперт по полупроводникам и диэлектрикам СССР, с 1953 г. член Комиссии по диэлектрикам в СССР; член Научного Совета по комплексной проблеме «Физика и химия полупроводников» при президиуме АН СССР; член Отделения общей физики и астрономии АН СССР; председатель республиканских Научных Советов «Проблемы физики» и «Проблемы физики и химии полупроводников»; председатель специализированного Совета по защите докторских диссертаций при Институте физики АН Азербайджана; член Комиссии по присуждению Ленинской и Государственной премий СССР в области науки и техники; председатель Комиссии по присуждению Госпремии Азербайджанской ССР в области науки и техники; председатель Комиссии по присуждению премии государственной молодежной организации (ВЛКСМ) в области науки и техники; председатель правления республиканского общества «Знание»; член Всесоюзной Аттестационной Комиссии (ВАК) СССР; депутат Верховного Совета СССР 8, 9, 10-го созывов.

Г.Б.Абдуллаев - автор первого фундаментального труда по физике полупроводников на азербайджанском языке, изданного в 1952 г., один из авторов и главный редактор первого терминологического словаря по физике на азербайджанском языке, редактор республиканских академических журналов «Вести» и «Наука и жизнь», автор более тысячи публикаций, около 400 советских и иностранных патентов на изобретения, в том числе в США, Японии, Германии, Великобритании, Франции, Швеции, Италии, Нидерландах, Индии и др. Его работы по получению новых полупроводниковых монокристаллов сложного химического состава для создания оптических квантовых генераторов вошли в число важнейших результатов советской науки за 1964 и 1965 гг.

Г.Б.Абдуллаеву принадлежит большая заслуга в постановке и развитии в Академии наук Азербайджана смежных направлений фундаментальных наук, таких, как электрохимия, биохимия, биофизика, молекулярная биология, молекулярная генетика и т. д.

Г.Б.Абдуллаев достиг выдающихся результатов в создании и  исследовании p-n переходов. В 1945 г. он впервые обнаружил динамический скачок потенциала у анода, а также статический скачок у катода при высоких температурах. В результате комплексных исследований Г.Б.Абдуллаевым были выяснены физическая природа и процессы образования запирающего слоя выпрямителей.

Результаты дальнейших исследований в 1952 г. привели его к пониманию ряда особенностей физических свойств p-n переходов:

- он создал первый в мире искусственный p-n переход на селеновых элементах;

- разработал физический механизм зависимости среднего значения выпрямленного тока от частоты;

- вывел эмпирическую формулу проводимости в сверхсильных полях в структуре диода:

 

Эти труды легли в основу динамической теории выпрямления полупроводников.

С именем Г.Б.Абдуллаева связаны основные представления физики полупроводников о свойствах соединений АIIIВVI и их более сложных аналогов.

В 1959 г. академик Абдуллаев сделал два научных открытия и создал:

 термоэлектрогенератор на основе природного галенита;

 селеновые фотоэлементы с повышенными параметрами.

Работы Абдуллаева Г.Б. в области селена считаются революционными. Признание и известность в мире он приобрел благодаря своим фундаментальным работам по получению кристаллов селена, теллура, их сложных соединений, комплексному изучению их физических свойств и по созданию новых полупроводниковых преобразователей.

Он также  разработал универсальные методы очистки селена, установил причину «аномалий» в его свойствах и  получил монокристаллы гексагональной и моноклинной модификации.

В результате интенсивных лабораторных испытаний Г.Б.Абдуллаев разработал методы управления типом проводимости моно- и поликристаллического, аморфного и жидкого селена, выяснил происхождение р- проводимости селена и  разработал физическую модель, объясняющую механизм проводимости в селене.

Эти результаты явились значительным вкладом в физику конденсированных систем и открыли новое перспективное направление в понимании свойств полимерных полупроводников и некристаллических систем.

Под руководством Г.Б.Абдуллаева:

- методом радиоактивных изотопов, в селене определены количественные характеристики диффузии и состояние диффундирующего атома;

- впервые электронографически показано, что механизм выпрямления в фотоэлементах и выпрямителях, обусловлен образованием в них гетеропереходов, вследствие электрической формовки;

- разработаны научные основы совершенствования существующих технологий и создания новых высокоэффективных технологий изготовления селеновых диодных структур.

Г.Б.Абдуллаевым с сотрудниками открыты новые группы двойных и тройных соединений селена и теллура:

- разработана технология получения совершенных монокристаллов элементов 3В6);

- выявлены детекторы рентгеновских и нейтронных излучений на  основе 3В6);

- предсказано и получено большое число новых более сложных полупроводников аналогов 3В6) ;

- установлен общий характер изменения электронных свойств соединений А3В6, их твердых растворов и сложных аналогов;

- получены сложные полупроводники, применяемые в качестве приемников  в видимой и инфракрасной областях спектра;

- выявлены новые, более сложные полупроводники, аналогов А3В6, в качестве эффективных приемников для видимой и инфракрасной областей спектра;

- обнаружен пьезофоторезистивный эффект, позволивший значительно расширить возможности полупроводниковой тензометрии.

Цикл фундаментальных работ Академика Абдуллаева по исследованию оптических свойств и энергетической структуры полупроводников типа А3В6 значительно расширил возможности полупроводниковой электроники:

- установлено, что кристаллы селенида галлия значительно превосходят существовавшие другие нелинейные кристаллы в ИК-области по многим параметрам и являются перспективными для квантовой электроники, нелинейной оптики и создания генераторов с перестраиваемой частотой излучения;

- разработана система оптической связи с применением частотной модуляции лазерного излучения. В приемном устройстве системы связи преобразователем частотно-модулированных сигналов в амплитудно-модулированные служил «Дешифратор» на основе кристалла GaSe .

Его работы по термоэлектричеству привели к созданию новых сложных полупроводников, эффективных для термопреобразователей.

На основе исследования физических свойств халькогенидов первой и третьей групп и процессов в их диодных структурах впервые:

- обнаружены управляемые эффекты полярнозависимых и независимых переключений и памяти;

- разработаны диоды с управляемой электрической памятью.

На основе монокристаллов соединений А3В6:

- создан практически идеальный бистабильный прибор, в котором высокоомное состояние обладает металлической проводимостью;

- созданы приборы, управляемые электрическим полем, с пороговым переключением и тройной памятью.

В результате изучения халькогенидов первой группы:

- установлено, что полупроводниковые кристаллы халькогенидов первой группы имеют дефектную кристаллическую структуру, обусловливающую эффект самолегирования;  

- установлено, что управляемые эффекты полярнозависимых переключения и памяти в полупроводниковых кристаллах халькогенидов первой группы основаны на инжекции высокоподвижных ионов меди и серебра.

Эти исследования позволили  впервые разработать  накопитель информации на 256 бит для постоянного запоминающего устройства с электрической перезаписью информации на основе переключателя с долговременной электрической памятью.

 На основе комплексного исследования электронных генерационно-рекомбинационных процессов в p-n переходах:

- был предложен метод определения основных параметров электронных генерационно-рекомбинационных процессов в p-n переходах,

- разработана и создана установка для автоматической записи вольтфарадных характеристик p-n переходов и явления инверсии емкостного характера реактивности в индуктивный;

- предсказано существование и впервые получено большое число ранее неизвестных групп тройных и четверных анизотропных полупроводниковых соединений, которые перспективны для микроэлектроники и лазерной техники; 

-проведен большой комплекс работ по получению полупроводниковых монокристаллов сложного химического состава для лазеров и элементов памяти. 

- Г.Б.Абдуллаевым были обнаружены явления световой памяти и эффект переключений в монокристаллах CdIn2S4 ;

- показана возможность управления эффектом переключений в монокристаллах CdIn2S4 при помощи света;

- разработана технология создания чувствительных электрографических слоев на основе сложных соединений, позволяющих многократное использование.

Под руководством академика Абдуллаева была проделана большая работа по разработке и внедрению ряда специальных полупроводниковых приборов и создания современной научно-экспериментальной и промышленной базы для их производства.

Областью науки, развитой при непосредственном участии Академика Абдуллаева, является биологическая физика. По его инициативе в Академии наук Азербайджана были созданы первые лаборатории «Биофизики мозга», Отдел, Сектор и, наконец Институт микробиологии, широко развернуты работы в области биофизики и молекулярной биологии. Г.Б.Абдуллаев создал оригинальное направление исследований в процессе разработки которого, радиоизотопным и другими методами исследован и получен ряд важных данных о распределении селена в биологических объектах, его роли в ферментативных процессах и, что особенно важно, в повышении световой чувствительности зрительного анализатора. Эти исследования имеют большое значение для понимания механизма работы глаза.

В области молекулярной биологии и биофизики:

-установлено неизвестное ранее явление усиления вызванных светом электрических потенциалов сетчатки глаза под воздействием селена, принимающего участие в механизме преобразования лучистой энергии в электрическую;

 - впервые обнаружен факт избирательного ингибирования селеном активности первой формы фермента, катализирующего синтез рибосомной рибонуклеиновой кислоты на матрице дезоксирибонуклеиновой кислоты (ДНК).

За цикл работ по получению новых сложных полупроводников, создание различных приборов на их основе, а также за работы в области биофизики, - по установлению роли селена в процессе зрения, Абдуллаеву и группе его учеников в 1972 году была присуждена Государственная премия Азербайджана.

В результате работ Г.Б. Абдуллаева по исследованию селена в СССР была создана крупная специализированная отрасль промышленности по массовому производству селена высокой чистоты и новых высокоэффективных селеновых преобразователей и десятков устройств на их основе. В Азербайджане было начато освоение принципиально новых для промышленности республики видов изделий - полупроводниковых приборов. Эти приборы и устройства по категории качества находились на уровне мировых стандартов и имели Государственный Знак качества СССР.

 

Работы Г.Б.Абдуллаева по физике селена и селеновых приборов, где впервые даны объяснения ряду аномальных явлений и указываются пути управления ими, были напечатаны в журналах АН СССР, в международных журналах «Physical Review», «Chemical Physics», «Selenium and Tellurium Abstracts», в японском физическом журнале и высоко оценены в монографиях А.И.Губанова, Б.И.Болтакса, Д.М.Чижикова и В.П.Счастливого, англо-aмериканского ученого Рэй Драбл (J. Ray Drabble) и англо-австралийского ученого Джулиана Голдсмида (H. Julian Goldsmid) [Вестник АН СССР, №3, 1965 г. и №3, 1966 г.].

Нобелевские лауреаты Н.Семенов (1956), А.Прохоров (1964), Ж.Алферов (2001), Кен Уилсон (Kenneth G. Wilson, 1982), известные американские ученые Лотфи Заде (Lotfi A. Zadeh), Чарльз Купер (W. Charles Cooper) – президент Международной Ассоциации по развитию физики селена и теллура, академики Н.Боголюбов, Д.Блохинцев, Е.Велихов, Р.Сагдеев, а также многие другие ученые, работы Г.Б. Абдуллаева по селену оценивали как выдающиеся.

По инициативе и под руководством Г.Б.Абдуллаева в Азербайджане созданы одни из первых в СССР СКБ, ОКБ и другие технопарки. Целеустремленно и поэтапно создавались научно-исследовательские центры в Шеки, Гяндже, Нахичеване, биолаборатория в Ленкоране (ныне Региональный Научный Центр), первые лаборатории в ИФАН, на основе которых были впоследствии созданы Сектор радиационных (ядерных) исследований, Сектор молекулярной биологии,   Обсерватории- Шемахинская,   Агдеринская (с. Тиви), Шахбузская,  ряд научно-исследовательских институтов (НИИ) и научно-производственных (НП) предприятий, Институт микроэлектроники, первый в мире Институт космических исследований природных ресурсов и НПО космических исследований. Все эти лаборатории, Сектора, институты и производственные предприятия созданы на базе Абдуллаевского Института Физики АН Азербайджана.

Гасана Абдуллаева по праву считают «отцом» азербайджанской физики. Он посвятил жизнь развитию и организации науки, укреплению и развитию научных связей, международного научного сотрудничества. Под руководством Гасана Абдуллаева азербайджанская наука вышла на уровень мировой. Аналитический склад мышления, тонкое чутье экспериментатора, глубокая научная интуиция,постоянная тяга к новому и перспективному в науке сочетались в нём с выдающимся организаторским талантом. Возглавляемая им Азербайджанская Академия наук стала одним из крупнейших в СССР центров развития фундаментальных отраслей знания, закладывающих основы прогресса во многих областях науки и народного хозяйства.

 

Академик, вице-президент РАН Е.П.Велихов: “Академик Гасан Абдуллаев – патриарх физики бывшего (Советского) Союза и Азербайджана, учёный мирового класса, воспитавший целое поколение талантливых учёных-физиков. Будучи президентом Академии Наук республики, проявились его выдающиеся организаторские способности, фактически он руководил всеми направлениями её деятельности. По его инициативе в Баку и по всему Азербайджану стали открываться новые научные институты и исследовательские центры. [Письмо в Президиум АН Азербайджана”, 2003 г.].

 

Нобелевский лауреат 1956 г., Академик Н.Н.Семенов: “Институт Физики АН Азербайджана является самым современным институтом в Советском Союзе. Работы Института в области физики полупроводников ведутся на высоком теоретическом уровне.” [1964 г., Сессия Президиума АН СССР, Вестник АН СССР, №1, 1965].


Нобелевский лауреат, академик Прохоров А.М.:коллектив института, который возглавляет Г.Б.Абдуллаев, сделал много для создания новой системы памяти для электронно-вычислительной машины. В частности, это полупроводниковая память, в которой используется в основном селен. Это уникальное и очень важное направление. В квантовой электронике большое значение имеют нелинейные кристаллы.  Именно под руководством Гасана Багировича были созданы нелинейные кристаллы, которые используются в квантовой электронике.”


“…под руководством академика Абдуллаева Институт физики Академии наук Азербайджанской ССР стал  головным в стране по исследованию селена и приборов на его основе… В Институте физики предсказано существование и впервые получено большое число ранее неизвестных групп тройных и четверных анизотропных полупроводниковых соединений, которые перспективны для микроэлектроники и лазерной техники. Здесь разработаны методы дешифровки и интерпретации аэрокосмической информации о природной среде в интересах геологии, географии, океанологии, водного и сельского хозяйства. [Выступление  на Президиуме АН Азерб. ССР. Баку, 1971 г.].

 

  1. Нобелевский лауреат 2001 г., академик Ж. И. Алферов: «Он (Гасан Абдуллаев) обогатил мир через исключительные научные достижения».

 

  1. «Aкадемик, член-кор. АН СССР по отделению физики и астрономии, директор Института Физики, который он создал и Президент азербайджанской АН...Г.Б.Абдуллаев – выдающийся физик современности. Безусловно,- создателем азербайджанской школы физики, является  Г.Б. Абдуллаев. Прежде всего, Абдуллаев создал собственное направление в физике полупроводников. [Интервью АНС ТВ, 2003 г.].


Академики Ж. И. Алферов, Е. П. Велихов, Б. М. Вул, А. М. Прохоров, В. М. Тучкевич:

 “Важным результатом проведенных Г.Б.Абдуллаевым исследований явилось установление возможностей и получение нового класса полупроводниковых соединений. Ценной особенностью этих исследований, являются последовательная и детальная разработка технологии получения монокристаллов, установление энергетического спектра носителей тока, объяснение электрических, тепловых, оптических и др. явлений, создание различного типа преобразователей.” [1978 г., УФН, Том 126, вып. 2.].

 

Председатель Научно-Технического Совета  ОИЯИ в Дубне, член-корр. АН СССР, Д.И.Блохинцев:

Г.Б.Абдуллаев – крупнейший физик, с именем которого связано развитие целого ряда фундаментальных направлений в физике конденсированных сред, в физике полупроводников и полупроводниковой электронике. Многие научные результаты, принадлежащие Г.Б.Абдуллаеву, определили развитие новых прикладных областей физики. Г.Б.Абдуллаев заложил основы современной технологии производства полупроводниковых преобразователей и других электронных устройств... Г.Б.Абдуллаевым создана большая научная школа в области физики твердого тела... Возглавляя в течение многих лет АН Азерб.ССР, Г.Б.Абдуллаев ведет огромную научно-организационную работу. Созданный и руководимый им Институт физики АН Азерб.ССР – головная организация Советского Союза по физике селена и теллура, а также приборов на их основе. При активном участии Г.Б.Абдуллаева в республике развернуты исследования по астрофизике, молекулярной биологии... по инициативе Г.Б.Абдуллаева в Баку создана новая Проблемная лаборатория физики высоких энергий». [Заседание НТС ОИЯИ,1976 г.].

Академик РАН Роальд Сагдеев: “...Влияние и роль Гасана Абдуллаева на развитие науки в Азербайджане переоценить невозможно. Именно под его руководством национальная наука вышла на уровень мировой.[Письмо в Президиум АН Азерб., 2003 г.].

Вице-президент АН Польской Народной Республики, позднее Президент АН Польши, академик Витольд Новацкий: «Будучи в СССР, я посетил многие учреждения академий наук, но два института на меня произвели самое сильное впечатление– это Институт кибернетики АН Украинской ССР и Институт Физики Азербайджанской ССР. Академия наук Польской Народной Республики наметила программу в течение пяти лет подняться до уровня этих передовых институтов». [Из речи на конференции в Варшаве, 1969 г.].

 

Президент Азербайджанской Республики, Гейдар Алиев: «Каждый азербайджанец может справедливо гордиться корифеями второго тысячелетия, выдающимися учеными, как Гасан Абдуллаев». [Обращение к народу, 29.12.1999. Баку.] .



Presentation of scientific, educational and social activities

of Academician Hasan Abdullayev

 

Hasan Mamed Bagir oglu Abdullayev (20.08.1918-01.09.1993) – due to transliteration in many Western sources name was spelled as Gasan Mamed-Bagir Abdullaev – was a prominent Azerbaijani and Soviet physicist, founder of semiconductors physics school in Azerbaijan, one of the leading scientist in electronics and new technologies in the world. His fundamental studies and scientific achievements laid the groundwork for the modern mobile communication and internet systems. H. B. Abdullayev was a professor and doctor of physical-mathematical sciences, he created new scientific trends in physics of Se-based (Selenium) semiconductors and related materials. The results of these studies are widely known all over the world.

In 1950 being the Director of Institute of Physics and Mathematics of the Academy of Sciences of Azerbaijan SSR that specialized in the oil industry, H. B. Abdullayev started to establish the Institute of Physics of semiconducting trend (IPAS). The Institute was confirmed by Soviet government as a leading research institute in the USSR on physics of Se (Selenium) and Te (Tellurium) and devices on their basis. Later IPAS became also the leading institute on molecular and atomic spectroscopy. Academician H. B. Abdullayev was at the head of IPAS until 1993, up to end of his life and more than 60 doctors and 100 candidates of physical-mathematical sciences theses (according to the data as of 1984) were defended under his supervision.

In 1954 in Azerbaijan State University (Baku State University), H. B. Abdullayev set up and headed one of the first semiconductor department in the USSR, then the first department of astrophysics in the republic.

Scholar and founder of new scientific applications, academician H. B. Abdullayev was the President of Azerbaijan Academy of Sciences from 1970 up to 1984; associate Member of Academy of Sciences of USSR and Russian Academy of Sciences; leading expert in semiconductors and dielectrics in the Soviet Union, since 1953 was the member of Dielectric Commission in the USSR; the member of Scientific Council in complex problem on “Physics and Chemistry of  Semiconductors” under Presidium of Academy of Sciences of USSR; member of General Physics and Astronomy of Academy of Sciences of USSR; Chairman of Republican Scientific Councils ”Problems of Physics” and “Problems of Physics and Chemistry of semiconductors”; Chairman of specialized council on doctor thesis defense of Institute of Physics of Azerbaijan Academy of Sciences; member of Awarding Commission of state youth organization (VLKSM) in science and technology of Republican Society Board “Znaniye”; member of All-Union Attestation Commission of USSR; deputy of Supreme Soviet of USSR of 8th, 9th, and 10th convocations.     

  1. B. Abdullayev is one of the founders of electronics in the world, the author of the first basic book on physics of semiconductors in Azerbaijani language published in 1952; one of the authors and editor-in-chief of first terminological dictionary of physics in Azerbaijani, editor of academic journals “Vesti” and “Nauka i Zhizn”, the author of more  than 1000 publications, about 400 Soviet and foreign  patents for inventions including in USA, Japan, Germany, Great Britain, France, Sweden, Italy, Netherlands, and India. The works on production of new semiconducting single crystals of complex chemical composition for the creation of optical quantum generators were included in the most important results of Soviet science for 1964-1965.

A lot of the credit must go to G. B. Abdullayev in development of adjacent trends of fundamental sciences, as electrochemistry, biochemistry, biophysics, molecular biology, molecular genetics etc.

  1. B. Abdullayev achieved prominent results in creation and study of properties of p-n junctions. In 1945 for the first time, he revealed the dynamic potential jump in the vicinity of anode, as well as the static jump nearby cathode at high temperatures. As a consequence of complex investigations, he established the physical nature and barrier layer formation processes of rectifiers.

The results of further investigations in 1952 led to better understanding of some peculiarities of physical properties of p-n junction:

-created the first man-made p-n junction in Se elements;

-developed physical mechanism of dependence of average value of rectified current on the frequency;

-derived the empirical formula of conductivity in ultrastrong fields in diode structure:

σ=σ0ebv2

These works formed  the basis of dynamical theory of semiconductor rectification.

Main knowledge of physics of AIIIBVI compound semiconductors and related materials is associated with H. B. Abdullayev.  

In 1959 H. B. Abdullayev made two discoveries:

- thermoelectric generator on the basis of natural galenite;

- selenium photocells with increased parameters.

Abdullayev’s works on Se are considered to be distinguished in the world. He gained the recognition and fame due to his fundamental works on the production of Se, Te crystals, their complex compounds , comprehensive study of their physical properties and creation of new semiconductor converters;

These results are the fundamental contribution to the physics of condensed systems and revealed new perspectives towards understanding of polymer  semiconductor and nanocrystalline system properties.

Under the leadership of H. B. Abdullayev

    - scientific bases of improvement  the existing technologies  and creation new  

      high- effective technologies for manufacturing of selenium diode structures  are   

     developed.

  1. B. Abdullayev together with his followers revealed new groups of binary and ternary compounds of Se and Te:

- production technology of perfect single crystals of A3B6 compounds has been developed;

- A3B6 –based X-ray and neutron radiation detectors have been created;

- a great number of new more complex compound  semiconductors of A3B6 analogs have  been predicted and produced

- general  change character of electronic properties of A3B6  compounds , their solid solutions and complex analogs has been established;

- complex semiconductors, suitable for detectors in visible and infrared regions have been obtained

- piezo-photoresistive effect that allows to considerably extend the capabilities of semiconductor tensometry has been revealed

        A series of basic works on optical properties and energy structure of A3B6 –type semiconductors extended the capabilities of semiconductor electronics:

      A series of works on thermoelectricity gave rise to creation of new complex semiconductors, efficient for thermal converters.

     On the basis  of studies of physical properties of A1B3 chalcogenides  and processes in diode structures for the first time:

    - controlled effects of polarity-dependent and independent switching and memory have been revealed;

     On the basis of A3B6 compound single crystals:

As a result of studies of first group chalcogenides:

On the basis of comprehensive investigations of electronic generation-recombination processes in p-n junction :

- unit for automatic recording of p-n junction capacity-voltage characteristics and the  phenomenon of capacity behavior inversion of reactivity into inductance one has been designed:

- a great number of unknown groups of ternary and four –fold anisotropic semiconducting compounds suitable for microelectronics and laser technology has been first obtained

- phenomena of light storage and switching  effect   in Cd In2S4  single crystals have been  revealed;

- possibility of  switching  effect control by light has been shown

    One of the fields of science developed by H. B. Abdullayev’s close participation is Biophysics.  By his initiative laboratory “Biophysics of brain”, then Department and finally Institute of Microbiology, promoting extensive work in biophysics and molecular biology have been organized. H. B. Abdullayev developed the unique trend of investigations where, series important data on Se distribution in biological objects, its role in fermentative processes and particularly, in the increase of optical sensitivity of visual analyzer have been obtained. These studies are of important significance in  understanding of eye function mechanism.

In the sphere of biophysics and molecular biology there have been established:

   - unknown phenomenon of amplification of electric potential of retina caused by light under Se effect, participating in mechanism of transforming the radiant energy into electric one.

    - the fact of Se selective inhibition of first group ferment,  catalyzing the synthesis of ribonucleic acid (RNA) on the matrix of desoxyribonucleic acid (DNA).

     In 1972 for series of works on production of new complex semiconductors, creation of various devices on their base, as well as for the works in biophysics on determining the role of selenium in vision process H. B. Abdullayev and group of his followers were awarded by the State Prize of Azerbaijan.

      As a result of H. B. Abdullayev’s works on selenium, a big specialized industry on Se mass production of high purity and new high-efficient Selenium converters and tens of devices on their base have been set up in USSR. These devices in quality rating were up to the world standards and had USSR State ”Quality Symbol”. Semiconductor devices, principally new kinds of product for republic industry have been started up in Azerbaijan.

  1. B. Abdullayev’s works in physics of selenium and selenium devices gain a world fame and are published in journals of USSR Academy of Sciences, International journals ”Physical Review”, “Chemical Physics”, “Selenium and tellurium Abstracts”, “Japanese Journal of Applied Physics” and highly appreciated in monographs of B. I. Boltax, D. M. Chijikov and V. P. Schastliviy, I. Ray Drabble and H. Julian Goldsmid. Nobel Prize winners N. Semenov (1956), A. Proxorov (1964), Jh. Alferov (2001), Kenneth G. Wilson (1982), well-known American scientist Lutfi A. Zadeh, W. Charles Cooper - president of International  Association in developing physics of selenium and tellurium, academicians H. Bogolybov, D. Blokintsev, E. Velikhov, R. Sagdeyev and many other scientists highly appreciated H. B. Abdullayev’s works on selenium.

     By H. B. Abdullayev’s initiative and his leadership one of the first in USSR special experimental design office and other technological parks were set up. Step by step scientific centers were established in Sheki, Ganja, Nakhchivan, biolaboratory in Lenkoran (now Regional scientific  Center), the first laboratories in the Institute of Physics, Azerbaijan Academy of Sciences. Later on their basis Department of Radiation Investigation, Department of molecular biology, Observatories in Shemakha, Agdere (vil. Tivi), Shakbuz, a number of research institutes, scientific and productive enterprises, Institute of Microelectronics the first Institute for Space investigations of Natural Resources and Scientific and Productive Enterprises of space research. All of them have been established on the base of Institute of Physics of Azerbaijan Academy of Science.

Hasan Abdullayev is considered as the founding father of Azerbaijan physics. He devoted all of his life to the development and arrangement of science, strengthening and progress of scientific relations, international scientific collaboration. Analytical mind, deep scientific intuition, craving for innovation in science went with his great organization talent. Azerbaijan Academy of Science headed by H. B. Abdullayev became one of the biggest in USSR development center of fundamental branches of knowledge, laying the foundations for progress in many fields of science and national economy.

 

  1. P. Velikhov, academician, vice-president of Russia Academy of Sciences.

”Academician Hasan Abdullayev is the patriarch of physics in former Soviet Union and Azerbaijan, world-class scientist, raised an entire generation of talented physicists. During the presidentship of Academy of Sciences of the republic, he demonstrated his outstanding leadership abilities, and in fact, he has provided wise guidance for the core part of its activity. New scientific-research institutes and research centers have been established in Baku and throughout Azerbaijan on his initiative”. 

Academician N. N. Semenov - the Nobel Laureate in 1956:

“Institute of Physics is the most modern institute in the Soviet Union. Research in Institute in the field of semiconductor physics is carried out at high theoretical level” (1964, Session of Presidium of USSR Academy of Sciences, Vestnik of USSR Academy of Sciences, N1, 1965).

Academician A.M. Prokhorov, the Nobel Laureate:

“Institute staff headed by H. B. Abdullayev made a lot for creation of new memory systems for computers. In particular, this is the semiconductor memory system based on Selenium. It is a unique and very important direction. Nonlinear crystals are of great importance in quantum electronics. These crystals now being used in quantum electronics, have been created under the leadership of H. B. Abdullayev” 1970, Presidium of Azerbaijan SSR Academy of Sciences.

 “….The Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Azerbaidzhan SSR under the direction of academician H. B. Abdullayev is the leader in this country in research on selenium and instruments based on it. An entire industrial sector on the production of high-purity selenium and highly efficient selenium transducers, which are exported to many countries in the world, has been created in Azerbaidzhan. A large number of previously unknown groups of ternary and quaternary anisotropic semiconducting compounds, which are promising for microelectronics and laser technology, were first predicted to exist and obtained at the Institute of Physics. Methods for decoding and interpreting aerocosmic information about the environment for the interests of geology, geography, oceanography, and aqua- and agricultures were developed here.” Source: Uspekhi Fiziki, 1983.

 

  1. Academician Zh. I. Alferov , the Nobel Laureate 2001:

“He [Hasan Abdullayev] enriched the world through the remarkable scientific achievements.”

  1. “Academician, corresponding member of USSR Academy of Sciences from Division of Physics and Astronomy, the director of the Institute of Physics that is established by himself and President of Azerbaijan Academy of Sciences… H. B. Abdullayev is the outstanding physicist of our days. Undoubtedly, H. B. Abdullayev is founder of Azerbaijan physics school. First of all, Abdullayev founded his own direction in semiconductor physics. (Interview ANS TV, 2003).

      Academicians Zh. I. Alferov (the Nobel Laureate), E. P. Velikhov, B. M. Vul, A. M. Prokhorov (the Nobel Laureate), M. A. Topchibashev, V. M. Tuchkevich: «Important result of research carried out by H. B. Abdullayev is the establishment of possibilities and obtaining of new class of semiconductor compounds. The valued feature of this research is successive and detailed development of monocrystal growth technology, determination of the energy spectrum of charge carrier, explanation of electrical, thermal, optical etc. phenomena, creation of various typed converters». Uspekhi Fiziki, Vol.126, iss.2, 1978.

  1. I. Blokhintsev, founder of Joint Institute for Nuclear Research, Chairman of Scientific and Technical Council of JINR, Dubna, associate member of USSR Academy of Sciences:

«Many scientific results belonging to H. B. Abdullayev determined the development of new applied fields in physics».

  1. B. Abdullayev, the most outstanding physicist whose reputation is closely connected with the development of a variety of fundamental directions in condensed matter and semiconductor physics and semiconductor electronics. Many scientific results belonging to H. B. Abdullayev determined the development of new applied fields in physics. H. B. Abdullayev laid the foundations of modern technology of semiconducting converters and other electronic devices… H.B. Abdullayev established a strong scientific school in solid state physics… While heading Azerbaijan SSR Academy of Sciences for many years, H. B. Abdullayev carries on huge scientific-organizational activity. Institute of Physics, Azerbaijan SSR Academy of Sciences founded and headed by him is the leading research institute of USSR in physics of selenium and tellurium as well as the devices on their basis. By active involvement of H. B. Abdullayev, research on astrophysics, molecular biology in the republic has been promoted in country… By his initiative, new Problem laboratory of high energy physics has been founded in Baku”.

Academician Roald Sagdeyev, Russian Academy of Sciences: “It is impossible to overestimate of influence and role of Hasan Abdullayev on development of science in Azerbaijan. It is fact that under his guidance, the national science reached the world levels”. Letter to the Presidium of Azerbaijan SSR Academy of Sciences.

 

Witold Nowacki - Vice-President of Polish People's Republic, later President of the Polish Academy of Sciences: “During my visit to the USSR, I also visited many institutes of Academies of Sciences, but two of them made a deep impression on me - it is the Institute of Cybernetics of Ukrainian SSR Academy of  Sciences and  Institute of  Physics of  Azerbaijan  SSR Academy of  Sciences. Academy of Sciences of Polish People's Republic adopted the five year program to reach standards of these leading institutes.” Warsaw, 1969.

Return to Science.zerbaijan.com